Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET

سال انتشار: 1394
کد COI مقاله: ISCEE18_115
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 642
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 7 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET

سمیرا سالاریان - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق، دانشگاه آزاد واحد بجنورد
مسعود هوشمند کفاشیان - عضو هیات علمی دانشکده فنی، دانشگاه پیام نور مشهد

چکیده مقاله:

ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی(NBTI) یکی از دغدغه های اصلی قابلیت اطمینان برای افزاره های امروزی و آینده است که باعث تخریب عملکرد در طول زمان می شود. در این مقاله به بررسی اثر NBTI در سلول حافظه SRAM براساس ترانزیستور FinFET پرداخته شده و اثر NBTI بر روی Hold SNM و Read SNM بررسی شده است. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزار HSPICE گره تکنولوژی 14nm در دمای 125 درجه سانتی گراد و منبع تغذیه 0.8 ولت برای فاصله زمان های مختلف انجام شده است. نتایج نشان می دهد که پدیده ی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی مقادیر SNM نگهداری و SNM خواندن را تحت تأثیر خود قرار می دهد و براساس اندازه گیری های انجام شده در این پژوهش، در بدترین شرایط میزان SNM نگهداری و SNM خواندن در نتیجه NBTI در فاصله زمانی (T=10(6 ثانیه ، به ترتیب15.32 % و34.93 % تنزل پیدا کرده و سلول ناپایدار شده است.

کلیدواژه ها:

پایداری سلول (SNM) ، ترانزیستور FinFET ، حافظه SRAM ، قابلیت اطمینان ، ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی(NBTI)

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا ISCEE18_115 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/471517/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
سالاریان، سمیرا و هوشمند کفاشیان، مسعود،1394،بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET،هجدهمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران،مشهد،https://civilica.com/doc/471517

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1394، سالاریان، سمیرا؛ مسعود هوشمند کفاشیان)
برای بار دوم به بعد: (1394، سالاریان؛ هوشمند کفاشیان)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

  • هجدهمین کنفرانس ملی- دانشجویی مهندسی برق ایران دانشگاه پیام نور ... [مقاله کنفرانسی]
  • نیره قبادی "مدل سازی چالش‌های مربوط به قابلیت اطمینان" کارشناسی ...
  • مصطفی ساجدی "افزایش مقاومت سلول _ در برابر خطای نرم" ... [مقاله کنفرانسی]
  • _ _ _ Proceedings of 16th IPFA. China, pp. I17-121, ...
  • E. Maricau, G. Gielen, Analog IC Reliability in Nanometer CMOS. ...
  • N. Goel, P. Dubey, J. Kawa and S. Mahapatra, "Impact ...
  • C. Lin et al., "Systematical study of 14nm FinFET reliability: ...
  • _ Kang, H. Kufluoglu, K. Roy and M. Ashraful Alam, ...
  • K. Lee, W. Kang, E. Chung, A. Patel and N. ...
  • _ _ (PTM) [Online].Availab. ...
  • Y. Wang, S. D. Cotofana and L. Fang, "Statistical Reliability ...
  • H. Farkhani, A. Peiravi, J. Kargaard and F. Moradi, "Comparative ...

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

نظرات خوانندگان

4.00
1 تعداد پژوهشگران نظر دهنده
5 0
4 1
3 0
2 0
1 0

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه آزاد
تعداد مقالات: 1,910
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات مرتبط جدید

طرح های پژوهشی مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی