بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET
محل انتشار: هجدهمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 842
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE18_115
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
چکیده مقاله:
ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی(NBTI) یکی از دغدغه های اصلی قابلیت اطمینان برای افزاره های امروزی و آینده است که باعث تخریب عملکرد در طول زمان می شود. در این مقاله به بررسی اثر NBTI در سلول حافظه SRAM براساس ترانزیستور FinFET پرداخته شده و اثر NBTI بر روی Hold SNM و Read SNM بررسی شده است. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزار HSPICE گره تکنولوژی 14nm در دمای 125 درجه سانتی گراد و منبع تغذیه 0.8 ولت برای فاصله زمان های مختلف انجام شده است. نتایج نشان می دهد که پدیده ی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی مقادیر SNM نگهداری و SNM خواندن را تحت تأثیر خود قرار می دهد و براساس اندازه گیری های انجام شده در این پژوهش، در بدترین شرایط میزان SNM نگهداری و SNM خواندن در نتیجه NBTI در فاصله زمانی (T=10(6 ثانیه ، به ترتیب15.32 % و34.93 % تنزل پیدا کرده و سلول ناپایدار شده است.
کلیدواژه ها:
پایداری سلول (SNM) ، ترانزیستور FinFET ، حافظه SRAM ، قابلیت اطمینان ، ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی(NBTI)
نویسندگان
سمیرا سالاریان
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق، دانشگاه آزاد واحد بجنورد
مسعود هوشمند کفاشیان
عضو هیات علمی دانشکده فنی، دانشگاه پیام نور مشهد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :