بررسی اثرات انتقال حامل روی مشخصه های طیفی و توان نوری خروجی دیود های نورگسیل ابرلیانی

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 467

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

EMIS01_019

تاریخ نمایه سازی: 11 آبان 1395

چکیده مقاله:

دراین مقاله اثرات آهنگ های فرار، گرفته شدن و نفوذ حامل ها در خروجی طیفی و توان نوری دیودهای نورگسیل ابرلیاان ی InGaN/GaN بررسی می شوند. این کار براساس تحلیل عددی معادلات آهنگ و بهره نوری در حالت پایا صورت می گیرد. در این مدل بازه گسترده ای از زمان های فرار، گرفته شدن و نفوذ مطابق با مقادیر گزارش شده در معادلات آهنگ وارد می شوند. تحلیل عددی در دمای 300 کلوین و چگالی جریان ثابت 15kA/Cm2 انجام می گیرد. نتایج مدل سازی ما نشان می دهد که زمان های فرار اثر چندانی در مشخصه های دیود های نورگسیل ابرلیانی ندارند ولی تغییر زمان های گرفته شدن و نفوذ اثراتی قابل توجه روی مشخصه های خروجی این دیودها دارند.

نویسندگان

ناصر مصلحی میلانی

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهر،اهر،ایران،

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • U.T. Schwarz, F. Kopp, T. Weig, C. Eichler, U. Strauss, ...
  • H. Ohno, K. Orita, M. Kawaguchi, K. Yamanaka, S. Takigawa, ...
  • D. Huang, E. Swanson. C. P Lin. J. S. Schuman, ...
  • W.K. Burns, C. Chen, R.P. Moeller, Fiber-optic gyroscopes with broad-band ...
  • D. McDonald and R. F. O Dowd, "Comparison of two- ...
  • R. Nagarajan, M.Ishikawa, T. Fukushima, R. S. Geels, and J. ...
  • Gh. Alahyarizadeh, H. Aghajani, H. Mahmodi, R. :Analytical and visual ...
  • B. Saint-Cricq, F. Lozes-Dupuy, and G. Vassilieff, ، Well width ...
  • N. Moslehi Milani, V. Mohadesi and A. Asgari, :A novel ...
  • N. Tessler and G Eisenstein, "On carrier injection and gain ...
  • J. Piprek, R. K. Sink, M. A. Hansen, J. E. ...
  • K. A. Bulashevich, V. F. Mymrin, S. Yu. Karpov, I. ...
  • S.-W. Feng, Y.-C. Cheng, Y.-Y. Chung, C.C. Yang, Y.-S. Lin, ...
  • J.L. Pleumeekers, M.-A. Dupertuis, T. Hessler, P.E. Selbmann, S. Haacke, ...
  • M.Loeser, B _ Witzigmann , Multidimens ional electro- opto-thermal modeling ...
  • N. Matuschek, M. Duelk, Modeling and simulation of sup erluminescent ...
  • J. Piprek, Nitride Semiconductor Devices: Principles and Simulation , Wiley, ...
  • J. Piprek, S. Li, GaN-based light emitting diodes, in: J. ...
  • نمایش کامل مراجع