افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون

در این مقاله به منظور افزایش کارایی ترانزیستورهای ماسفت با نفوذ دوگانه ی افقی، ساختار جدیدی برای ادواتساخته شده با استفاده از تکنولوژی سیلیسیم روی عایق ارائه شده که در آن یک ناحیه ی فلزی در لایه ی اکسید مدفونقرار گرفته است. استفاده از لایه ی فلز در ساختار پیشنهادی موجب توزیع یکنواخت تر میدان الکتریکی در ناحیه ی رانشیشده و ولتاژ شکست افزایش می یابد. در کنار افزایش ولتاژ شکست، مقاومت حالت روشن افزاره نیز به دلیل افزایش غلظتناخالصی در ناحیه ی رانشی کاهش می یابد. نتایج شبیه سازی های انجام شده برای ساختار پیشنهاد شده بهبود قابل توجهیرا در مقاومت حالت روشن و ولتاژ شکست نسبت به ساختار متداول نشان می دهد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور ماسفت ، سیلیسیم روی عایق ، لایهی فلز مدفون ، مقاومت حالت روشن ، ولتاژ شکست