بررسی و شبیه سازی اثر تغییر تابع گیت فلزی بر روی عملکرد ماسفت های PD-SOI

در این مقاله با بهرهگیری از شبیه سازی با استفاده از نرم افزار سیلواکو به بررسی ویژگی های ماسفتهای PD- SOI و ارایه ساختاری به منظور بالا بردن بازدهی این ترانزیستور پرداخته شده است. سپس با مطالعه تاثیرات تابع گیت فلزی روی عملکرد ماسفت PD- SOIنمودارهای شبیه سازی شده این اثرات روی پارامترهای ترانزیستور ارایه میگردد . طول ویژه کانال افزاره شبیه سازی شده برابر با 700nm در نظر گرفته شده است. بنابراین انتظار میرود با تغییر تابع کار گیت فلزی میتوان ولتاژ آستانه ترانزیستور را تغییر کند. بنابراین با استفاده از این تکنیک میتوان ولتاژ آستانه مناسب برای ماسفت SOI بدست آورد. همچنین با تغییر تابع گیت جریان نشتی، جریان تونل زنی، و اثرات کانال کوتاه را کاهش و جریان تحریک را تغییر داد. بنابراین با انتخاب تابع کار مناسب منجرب به عملکرد بهتر ترانزیستورهای SOI نسبت به ماسفتهای متداول میشود

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثرمیدان ، سیلیکون روی عایق ، تابع کار ، نرم افزار سیلواکو ، ولتاژ آستانه ، کانال کوتاه ، مشخصه ترانزیستور