تجزیه و تحلیل گافهای فوتونی درکریستال فوتونی دو بعدی هگزاگونال
محل انتشار: دوازدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,226
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP12_027
تاریخ نمایه سازی: 19 اسفند 1386
چکیده مقاله:
در این مقاله تشکیل گاف فوتونی کامل در یک کریستال فوتونی دو بعدی هگزاگونال که شامل میله های دی الکتریک غیرایزوتروپیک تلوریم (Te) در زمینه هوا است، بررسی می شود . فرض می کنیم این میله ها از یک هسته دی الکتریک که بوسیله لایهخارجی غیر ایزوتروپیک Te احاطه شده، تشکیل می یابند . تمامی گافهای فوتونی کامل در این کریستال فوتونی بر حسب تابعی ازتغییرات شعاع میله داخلی و هسته دی الکتریک مطالعه می شود . این ساختار یک گاف فوتونی کامل بزرگ را نشان می دهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
بهروز رضائی
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
منوچهر کلافی
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :