بررسی ابعاد مطلوب و روش های استخراج ولتاز آستانه در افزاره 28nm-UTBB SOI

ویژگی ها و برتری های ترانزیستوری سیلیکون روی عایق باعث گسترش استفاده و جایگزینی این ترانزیستورها در مدارات مجتمع شده است، در ابتدا به مقایسه ترانزیستورهای بدنه سیلیکون با ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق می پردازیم. در ادامه به بررسی روش های کاهش اثرات پارازیتی، بهبود اثرات کانال کوتاه و بهبود مصرف توان در ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق پرداخته می شود و همانطور که بیان خواهد شد این روش ها منجر به استفاده از تکنولوژی UTB و تکنولوژی UTBB می شود. با توجه به این نکته که کاهش اندازه اجزا و افزاره ها در تکنولوژی مدارات مجتمع با حداقل طول کانال شرح داده می شود لذا به تعیین ابعاد دقیق یک افزاره متناسب با طول گیت و براساس تعاریف و قوانین استاندارد می پردازیم. علاوه بر اهمیت تعیین ابعاد و پارامترهای فیزیکی لازم جهت شبیه سازی و ساخت افزاره، استخراج پارامترهای ترانزیستور سیلیکون روی عایق نظیر ولتاژ آستانه بخش مهم دیگری از پروسه توصیف و مدل سازی افزاره می باشد که در این تحقیق این موضوع نیز بررسی می شود. در پایان نتایج حاصل از تحقیق در طراحی و شبیه سازی افزاره مورد استفاده قرار می گیرد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور سیلیکون روی عایق ، ترانزیستور بدنه سیلیکون ، اثرات کانال کوتاه ، ولتاژ آستانه ، UTBB ، 28nm DIBL