سمتهای علمی و اجرایی در دانشگاهها و مراکز علمی کشور
مقالات بین المللی خارج از کشور
- "Diamond-shaped body contact for on-state breakdown voltage improvement of SOI LDMOSFET", Elsevier BV, (2017), Vol 129, No : 182-187
- "An area efficient body contact for low and high voltage SOI MOSFET devices", Elsevier BV, (2008), Vol 52, No 2: 196-204
- "Microstructure and phase evolution of alumina–spinel self-flowing refractory castables containing nano-alumina particles", Elsevier BV, (2011), Vol 37, No 3: 1003-1009
- "A width-dependent body-voltage model to obtain body resistance in PD SOI MOSFET technology", IEEE, (2010), Vol , No :
- "Impact of body resistance on RF linearity of SOI MOSFET circuits", IEEE, (2011), Vol , No :
- "3-D simulation of a 45 nm Partially Depleted silicon on insulator (SOI) transistor with diamond-shaped body contact", IEEE, (2010), Vol , No :
- "The effect of nano-size additives on the electrical conductivity of matrix suspension and properties of self-flowing low-cement high alumina refractory castables", Elsevier BV, (2010), Vol 36, No 4: 1411-1416
- "Automated Conductometry Measurements of Simple Electrolytes and Micellar Solutions Using a Voltage Divider Technique", Springer Science and Business Media LLC, (2010), Vol 39, No 7: 959-966
- "Experimental characterisation of PD SOI MOSFET devices fabricated with diamond-shaped body contact", Informa UK Limited, (2011), Vol 98, No 6: 801-812
- "Output-Conductance Transition-Free Method for Improving the Radio-Frequency Linearity of Silicon-on-Insulator MOSFET Circuits", Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), (2014), Vol 61, No 7: 2257-2263
- "Experimental characterisation of PD SOI MOSFET devices fabricated with diamond-shaped body contact", Informa UK Limited, (2011), Vol 98, No 6: 801-812
مقالات کنفرانسهای داخلی
- شبیه سازی تغییرات مقاومت سورس بر اثر تغییرات کاشت یونی این ناحیه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه ارائه شده در دومین کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق (1403)
- بررسی و شبیه سازی ساختار باکس و بدنه ی فوق نازک در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دولایه با طول کانال ۲۲ نانومتر ارائه شده در سومین کنفرانس بین المللی دانشجویان و مهندسان برق و انرژی های پاک (1403)
- شبیه سازی قابلیت تغییر طول عایق دوم در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دولایه ارائه شده در چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق، کامپیوتر، مکانیک و تکنولوژی های نوین مرتبط با هوش مصنوعی (1403)
- شبیه سازی پروسه ساخت ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه با کاشت دو مرحله ای نواحی سورس و درین ارائه شده در اولین کنفرانس بین المللی و هفتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و سیستم های هوشمند (1402)
- محاسبه ی تحلیلی ولتاژ آستانه ی افزاره ی سیلیکون بر روی الماس به وسیله مدل خازنی ارائه شده در پنجمین کنفرانس ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر (1401)
- شبیه سازی نحوه تشکیل کانال در ترانزیستور سیلیکون روی الماس ۲ لایه با استفاده از روش کوانتومی و مقایسه آن با روش کلاسیک ارائه شده در کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق (1401)
- شبیه سازی ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس ۲لایه با روشهای کوانتومی و مقایسه آن با روشهای کلاسیک و مدلسازی ارائه شده در کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق (1401)
- تاثیر غلظت زیرلایه بر میزان چگالی الکترون ها در ناحیه ی کانال ترانزیستورهای UTBB تمام تخلیه سیلیکون روی عایق ارائه شده در سومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق (1397)
- بررسی اثر همشنوایی از طریق بستر در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه ارائه شده در پنجمین کنفرانس بین المللی پژوهش های کابردی در مهندسی برق مکانیک و مکاترونیک (1397)
- ارائه مدل سیگنال کوچک ترانزیستور سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه و محاسبه فرکانس قطع ارائه شده در چهارمین کنفرانس ملی فناوری در مهندسی برق، کامپیوتر (1397)
- بررسی وابستگی زمانی ولتاژ آستانه ترانزیستور به میزان غلظت ناخالصی زیر لایه در ترانزیستورهای UTBB تمام تخلیه سیلیکون روی عایق ارائه شده در چهارمین کنفرانس ملی فناوری در مهندسی برق، کامپیوتر (1397)
- استفاده عملی از کنترلر فازی جهت جایگزینی کنترلر سروو ولوهای هیدرولیکی در مجتمع فولاد مبارکه ارائه شده در کنفرانس بین المللی تحقیقات بنیادین در مهندسی برق (1396)
- بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده ارائه شده در سومین کنفرانس سراسری مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات (1396)
- Room Air Temperature Reduction by Using Different Types of Thermal Insulation ارائه شده در چهارمین کنفرانس ملی مدیریت ساخت و پروژه (1396)
- شبیه سازی ترانزیستور 45 نانومتر سیلیکون روی عایق با اتصال بدنه زیر سورس و مقایسه آن با ترانزیستور مرسوم ارائه شده در پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر با تاکید بر دانش بومی (1396)
- بررسی مقاومت بدنه در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده ارائه شده در دومین کنفرانس ملی مهندسی برق و کامپیوتر (1396)
- بررسی و محاسبه تیوری ولتاژ شکست حالت روشن در افزاره سیلیکون روی عایق با طول کانال 54 نانومتر ارائه شده در کنفرانس ملی کاربرد فناوری های نوین در علوم و مهندسی، برق و کامپیوتر و IT (1396)
- Thermal effects analysis and comparison of the 22nm silicon-on-diamond transistor with the similar silicon-on-insulator transistor and reduction of the off current of neighboring transistors ارائه شده در اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر (1395)
- مدل ولتاژ آستانه ی ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی ارائه شده در اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر (1395)
- ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی ارائه شده در کنفرانس بین المللی مهندسی برق (1395)
- مدلسازی فازی ولتاژ آستانه در ماسفتهای سیلیکون روی الماس دولایه ارائه شده در چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر (1395)
- بررسی اثر طول ناحیه اکساید در ترانزیستورهای نسبی سیلیکون روی عایق ارائه شده در هشتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران (1395)
- ترانسیستور توام تخلیه ی سیلیکوى روی عایق با بدنه و لایه ی نازک اکساید مدفون شده UTBB با طول گیت 22 نانومتر و بررسی عملکرد آن با اعمال بایاس گیت دوم ارائه شده در کنفرانس بین المللی پژوهش های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر و مهندسی پزشکی (1395)
- تاثیر مقاومت بدنه بر فرآیند شکست ترانزیستورهای ماسفت نفوذی افقی سیلیکون روی عایق ارائه شده در کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر (1394)
- فرمول تحلیلی تغییرات ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه ارائه شده در کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر (1394)
- بررسی ابعاد مطلوب و روش های استخراج ولتاز آستانه در افزاره 28nm-UTBB SOI ارائه شده در سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک (1394)
- تحلیل و بررسی اثرات دمایی ترانزیستور nm 22 سیلیکون روی الماس ، مقایسه آن با همتا سیلیکون روی عایق و همچنین بررسی تغییرات دمایی ترانزیستورهای کناری ارائه شده در سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک (1394)
- تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال 45 نانومتر ارائه شده در دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و علوم کامپیوتر (1394)
- افزاره نانو سیلیکون روی عایق دولایه جهت بهینه سازی اثرات خودگرمایی وکاهش جریان نشتی ارائه شده در هفدهمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران (1393)
- A Novel Silicon on Diamond Structure to Improve Drain Induced Barrier Lowering ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران (1392)
- نانو ترانزیستور سیلیکون رو یالماس دو لایه جهت بهینه سازی میدان الکتریکی نفوذی درین و کاهش اثر(DIBL) ارائه شده در پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران (1392)
- بررسی افزایش جریان نشتی در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس تمام تخلیه ارائه شده در پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران (1392)
- بررسی اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده ارائه شده در پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران (1392)
- یک ساختارجدید افزاره سیلیکون روی عایق دولایه برای بهبود شیب زیرآستانه ارائه شده در بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران (1391)
- A Novel Method to Improve Linearity of High Frequency Circuits Designed with PD SOI MOSFET ارائه شده در نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران (1390)
- بررسی اثرات دمایی زیرپایه های سیلیکون روی الماس درپروسه 45nm ارائه شده در نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران (1390)
- بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با مقیاس 45nm نانومتر ارائه شده در دومین کنفرانس ملی مهندسی برق (1388)
- شبیه سازی سه بعدی و بهبود رسانایی خروجی در ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (SOI) با اتصال بدنه لوزی شکل و طول کانال 45 نانومتر ارائه شده در دومین کنفرانس ملی مهندسی برق (1388)
- طراحی نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ تمام مجتمع در فرکانس 5 GHz با استفاده از تکنولوژی µmTSMC 0/18 ارائه شده در دومین همایش ملی مهندسی برق کامپیوتر و فناوری اطلاعات (1387)
مقالات ژورنالهای تخصصی داخلی
- استخراج مدل مداری نزدیک به ولتاژ آستانه برای افزاره های سیلیکون بر روی الماس با عایق دو لایه به منظور محاسبه ولتاژ آستانه منتشر شده در فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران (1402)
- محاسبه ولتاژ آستانه ماسفت سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بدنه فوق نازک به روش تحلیلی منتشر شده در فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران (1402)
- Body Current Optimization Using Threshold-Voltage-Adjust-Implant Engineering in ۴۵nm SOI MOSFET منتشر شده در مجله مهندسی برق مجلسی (1400)
- بررسی و شبیهسازی تأثیر میزان غلظت ناخالصی زیرلایه بر زمان تأخیر کلیدزنی در ترانزیستورهای اثر میدان UTBB 22nm سیلیکون روی عایق دولایه منتشر شده در فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران (1399)
- Experimental PI Fuzzy Controller to Control Pinch-roll Pressure via Hydraulic servo-valves in Continuous Casting Machines in Mobarakeh Steel Company منتشر شده در مجله مهندسی برق مجلسی (1399)
- بدست آوردن رابطه ی ولتاژ آستانه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با طول کانال 22 نانومتر و یک لایه عایق اضافی منتشر شده در فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران (1398)
- An Investigation in the I-gate Body Contact for Partially Depleted SOI MOSFET منتشر شده در مجله مهندسی برق مجلسی (1393)
- A Novel Silicon on Diamond Structure to Improve Drain Induced Barrier Lowering منتشر شده در مجله مهندسی برق مجلسی (1392)
- یک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق منتشر شده در فصلنامه روش های هوشمند در صنعت برق (1390)
- کنترل سرعت موتور القایی تغذیه شده با مبدل ماتریسی با ولتاژ ورودی نامتعادل منتشر شده در فصلنامه روش های هوشمند در صنعت برق (1390)
- Crosstalk Enhancement in ۳۲ nm FD SOI MOSFET using HR Substrate and Multilayer BOX منتشر شده در مجله مهندسی برق مجلسی (1390)
- رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر منتشر شده در فصلنامه روش های هوشمند در صنعت برق (1389)
- Temperature Effect Investigation of ۴۵nm Silicon-on-Diamond MOSFET Transistors منتشر شده در مجله مهندسی برق مجلسی (1388)