ارائه ساختارهای بهینه برای مبدل های چندسطحی کاسکاد نامتقارن
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,878
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_468
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
چکیده مقاله:
مبدل های چندسطحی، قادر هستند ولتاژ های سینوسی با دامنه بالا را با استفاده از تعداد زیادی از منابع ولتاژ dc با دامنه کوچکتر تولید کنند. برای افزایش تعداد سطوح در ولتاژ خروجی، ساختار جدیدی در مراجع [2-1] با استفاده از اتصال سری چند طبقه مبدل چندسطحی پیشنهاد شده است. در روش پیشنهادی در این مراجع، با وجود مزایای آن نمی توان تمامی سطوح (فرد و زوج) را در ولتاژ خروجی به دست آورد. همچنین برای تولید ولتاژ خروجی با یک تعداد سطوح مشخص، می توان از آرایش های مختلفی با تعداد مختلف از طبقات و در نتیجه تعداد مختلف از قطعات استفاده کرد. در این مقاله، دو روش جدید برای تعیین اندازه منابع ولتاژ dc ارائه می شود که با این روش ها می توان تمامی سطوح اعم از فرد و زوج را در ولتاژ خروجی تولید کرد. همچنین برای تولید ولتاژ خر.وجی با یک تعداد سطوح مشخص با حداقل قیمت، ساختارهای بهینه با کم ترین تعداد منابع ولتاژ و کلیدهای دو طرفه ارائه شده است. نهایتا برای تایید مطالب تئوری ارائه شده، نتایج آزمایشگاهی برای یک مبدل 49 سطحی با حداکثر ولتاژ خروجی 200V ارائه شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
ابراهیم بابائی
دانشگاه تبریز دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
سید حسین حسینی
دانشگاه تبریز دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :