طراحی مدارات منطقی بسیار کم مصرف با بهره گیری از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی
محل انتشار: سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 666
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0721
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
چکیده مقاله:
طراحی و پیاده سازی ادوات الکترونیکی با بهره گیری از فناوری نانوموضوعی است که در سال های اخیر به طور چشمگیری مورد توجه طراحان و سازنده های قطعات الکترونیکی و وسایل دیجیتال قرار گرفته است، و با توجه به کوچک شدن ابعاد و دیگر ویژگی های این فناوری، ترانزیستورهای اثر میدانی با بهره گیری از فناوری نانو مناسب ترین جایگزین برای تکنولوژی CMOS می باشند. در این مقاله مدارهای کاربردی در وسایل دیجیتال از جمله NAND، OR، AND و NOR دو ورودی را بر پایه ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی (CNTFET) در ولتاژها و دماهای مختلف طراحی و پیاده سازی می نماییم. شبیه سازی این مدارات توسط نرم افزار شبیه ساز HSPICE و تکنولوژی CNT 32nm صورت می گیرد. نتایج بدست آمده از شبیه سازی حاکی از آن است که مدارات پیشنهادی از نظر پارامترهای توان مصرفی، سرعت و PDP ( حاصلضرب توان و سرعت ) عملکرد بسیار خوبی دارند و به همین دلیل مورد توجه بسیاری از سازندگان قطعات الکترونیکی قرار می گیرند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
اسما ترک زاده ماهانی
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان
پیمان کشاورزیان
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی کرمان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :