بررسی اثر جانشینی سیلیکون بر رفتار الکتریکی و اپتیکی گرافن
محل انتشار: چهارمین همایش پژوهش های نوین در علوم و فناوری
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 735
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EMAA04_048
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
چکیده مقاله:
گرافن مادهای شگفت انگیز با خواص نوینی است که کابرد زیادی در زمینهی قطعات الکترونیکی قابل انعطاف دارد اما عدم ارائهی یک بندگپ قابل ملاحظه، ساخت قطعات الکترونیکی مبنی بر گرافن را با مشکل مواجه کرده است. در این تحقیق خواص الکترونی و اپتیکی گرافن خالص و آلاییده با جانشانیهای و به کمک (DFT) متفاوت سیلیکون را بررسی کردهایم. بدین منظور در چارچوب نظریه تابعی چگالی استفاده کردیم. نتیجهی این محاسبات Siesta و OpenMX از کد ، (GGA) تقریب شیب تعمیم یافته نشان میدهد که گرافن خالص فاقد گاف نواری بوده و با افزایش ناخالصی سیلیکون گاف ایجاد میشود. علاوه بر این، به علت تغییر در حالات الکترونیکی گرافن به دلیل دوپینگ سیلیکون، خواص اپتیکی نیز تغییر میکند، برای مطالعه خواص اپتیکی، تابع دیالکتریک، ضریب شکست و ضریب جذب اپتیکی مورد بررسی قرار گرفت.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
عطیه سرکاری
دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک حالت جامد، گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه گلستان
مسعود بزی جوان
هیئت علمی گروه فیزیک، گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه گلستان
رحیم لطفی اوریمی
هیئت علمی گروه فیزیک، گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه گلستان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :