تصحیح ناپایداری در ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون هیدروژن از طریق بهینهسازی بار الکتریکی ذخیره شده در نیمرسانا

مدل فیزیکی برای ناپایداری درترانزیستورهای اثرمیدانی انتخاب کننده یون حساس به )pH-ISFET( Ph ارایه شده است در pH-ISFETناپایداری درنقطه کار که عموما به دریفت موسوم است بصورت تغییرات یکسویه و نسبتا کندی درولتاژ استانه ت رانزیستور درغیاب نوسانات ph ظاهر میشود مدل ارایه شده بصورت کمی رفتار دریفت را درAl2O با عایق ازنوع اکسیدالومینیوم Al2O3 توضیح میدهد برای راستی آزمایی این مدل داد های اندازه گیری شده دریفت برای یک pH-ISFET که درآن عایق حساس به PH ازجنس Al2O3 است باداده های محاسبه شده براساس رابطه بدست آمده برای دریفت مقایسه شده اند برازش میان داده های اندازه گیری شده و داده های مدل با ضریب های همبستگی بزرگتر از0//99 مشخص میشود باتوجه به دقت کمی بالای مدل پیشنهادی میتوان بااستفاده ازرابطهدریفت راهکارهایی برای تصحیح ناپایداری درpH-ISFET پیشنهاد کرد بطور مشخص با کنترل انواع بارالکریکی ذخیره شده درنیمرسانا که دررابطه دریفت بیان شده اند میتوان دریفت را ازطریق اعمال بایاس مناسب به قطعه و یا استفاده ازکاشت () درناحیه کانال برای تنظیم ولتاژ استانه کاهش داد

کلیدواژه ها:

ترانزیستوراثرمیدانی حساس به یون هیدروژ« ، دریفت ، ناپایداری ، بازبینی پیوسته