محاسبه اندوکتانس نشتی اتصال کوتاه در ترانسفورماتور قدرت با استفاده از روش تصاویر
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 926
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DCEAEM02_054
تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله برای محاسبه اندوکتانس نشتی بین سیم پیچ های ترانسفورماتور از روشی به نام تئوری تصاویر استفاده شده است ازآنجا که بسیاری از برنامه های EMT-type )برنامه های مطالعه الکترومغناطیس گذرا( برای محاسبه انتدوکتانس نشتی اتصال کوتاه بر اساس روش FEM )اجزای محدود( با مشکلاتی از جمله پیچیدگی و زمان بر بودن محاسبات مواجه اند، در این پژوهش سعی شد است از یک روش کاملا تحلیلی و مناسب به عنوان جایگزین روش FEM ، استفاده شود این روش براساس تئوری تصاویر و با استفاده از معادلات تحلیلی بردار پتانسیل مغناطیسی و معادلات انرژی پایه گذاری شد است و نتایج مطلوبی را بدنبا دارددراین مقاله نشان داد شده است که اندوکتانس نشتی محاسبه شده از روش تصاویر، با افزایش لایه های تصاویر به مقدار محاسبه شده از روش FEM نزدیک می شود در ادامه تاثیر ضخامت محدود هسته و ضریب نفوذ پذیری مغناطیسی آن در مقدار اندوکتانس نشتی، با روش جدیدی مورد مطالعه قرار گرفته است همچنین نشان داد شده است که نتایج بدست آمده از روش تصاویر در مقایسه بانتایج بدست آمده از روش های کلاسیک دقیق تر بود ، ضمن اینکه زمان مورد نیاز برای محاسبه آن در مقایسه با روش FEM کمتر است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمودرضا ایروانی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه شهید چمران اهواز
مرتضی رزاز
دانشیار دانشگاه شهید چمران اهواز
محسن صنیعی
استادیار دانشگاه شهید چمران اهواز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :