تاثیر مقاومت بدنه بر فرآیند شکست ترانزیستورهای ماسفت نفوذی افقی سیلیکون روی عایق

در این مقاله به بررسی تأثیر مقاومت بدنه بر فرآیند شکست ترانزیستورهای ماسفت نفوذی افقی سیلیکون روی عایق میپردازیم .تأثیر میزان مقاومت بدنه بر جریان حفر ههای ناشی از پدیده یونیزاسیون برخوردی و عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی به عنوان عامل اصلی شکست نشان داده م یشود .در این راستا با تغییر فاصله بین نواحی P+ مربوط به اتصال بدنه، مقدار مقاومت بدنه را تغییر میدهیم و با انجام شبیه سازی، تأثیر تغییرات مقاومت بدنه را بر جریان حفر ههای تولیدی ناشی از پدیده یونیزاسیون برخوردی و مولفه های جریانی ترانزیستور دوقطبی پارازیتی بررسی م یکنیم .نشان م یدهیم که با کاهش مقاومت بدنه میتوان فیدبک مثبتی که توسط این ترانزیستور دوقطبی پارازیتی بوجود میآید را تضعیف کرد و مکانیسم شکست را تعدیل کرد و ولتاژ شکست را بهبود بخشید .نتایج شبیه سازی نشان دهنده بهبود 10 درصدی ولتاژ شکست ترانزیستور با مقاومت بدنه KΩ نسبت به همان ترانزیستور با مقاومت بدنه . KΩ 20 میباشد

کلیدواژه ها:

مقاومت بدنه ، اتصال بدنه ، ولتاژ شکست ، سیلیکون روی عایق ، یونیزاسیون برخوردی ، ماسفت نفوذی افقی