بررسی تاثیر نرخ سرمایش بر ناهمسانگردی و امپدانس مغناطیسی نوارهای نرم مغناطیس Fes۲SisB۱۳

سال انتشار: 1404
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 39

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IMES19_445

تاریخ نمایه سازی: 26 شهریور 1405

چکیده مقاله:

در پژوهش حاضر تولید نوارهای عرض پهن با ترکیب Fes SisB۱۳ به کمک فرآیند ریخته گری جریان مسطح (PFC) مورد بررسی قرار گرفته است. در این فرآیند ابتدا از طریق اعمال سرعت های مختلف چرخ مبرد و ثابت نگه داشتن سایر پارامترهای اصلی نوارهای مختلفی تولید گردید. سپس ناهمسانگردی و اثر امپدانس مغناطیسی در سرعت های ۲۰، ۲۵ و m/s ۳۰ مورد ارزیابی قرار گرفت. نتایج به دست آمده نشان داد که با افزایش سرعت چرخ به دلیل افزایش میزان تنش پسماند و ناهمسانگردی میزان اثر GMI کاهش می یابد. با انتخاب بهترین نمونه با بالاترین اثر GMI که در سرعت ۲۵ به دست آمده است، مغناطیسی شدن به روش VSM در جهات مختلف به منظور تعیین جهت آسان مغناطیسی شدن و تاثیر آن بر امپدانس مغناطیسی بررسی شد و مشخص گردید که نوارهای تولید شده در جهت عرضی دارای جهت آسان مغناطیسی شدن هستند و همین موضوع منجر به ایجاد تغییر شکل نمودار GMI از حالت تک پیک به دو پیک شده است.

کلیدواژه ها:

ریخته گری جریان مسطح ، سرعت چرخ ، اثر امپدانس مغناطیسی بزرگ ، ناهمسانگردی

نویسندگان

عبدالله طهماسبی فر

دانشجوی دکتری مهندسی مواد پژوهشکده مواد پیشرفته و انرژی های نو سازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران

فرزاد شهری

دانشیار پژوهشکده مواد پیشرفته و انرژی های نو سازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران

رضا غلامی پور

دانشیار پژوهشکده مواد پیشرفته و انرژی های نو سازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران

سجاد سهرابی

استادیار پژوهشکده مواد پیشرفته و انرژی های نو سازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران