بررسی مشخصات الکتریکی ترانزیستور با قابلیت حرکت بالا مبتنی بر ساختار ناهمگون

در این مقاله ترانزیستوری با قابلیت حرکت بالا (HEMT) مبتنی بر ساختار ناهمگون AlGaN/GaN/AlInN/GaN ارائه می شود و با استفاده از شبیه سازی عددی، مشخصات الکتریکی آن مورد بررسی قرار می گیرد. با استفاده از لایه Al(0.83)In0.17N با میدان قطبی شدگی قویتر و شکاف انرژی بزرگتر در آن نسبت به مقادیر متناظر در لایه Al0.3Ga0.7N مقدار بارهای قطبی شدگی و همچنین میزان ناپیوستگی در باند هدایت در فصل مشترک AlInN/GaN افزایش یافته که منجر به تشکیل چاه کوانتومی عمیق با وجود تراکم بالایی از الکترون ها در این فصل مشترک به عنوان کانال دوم می گردد. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که در افزاره ارائه شده، بیشینه جریان درین 2/8A/mm در ولتاژ درین 10V و ولتاژ گیت 0V و بیشینه هدایت انتقالی 400mS/mm در ولتاژ گیت -2V حاصل می شود. همچنین رفتار سیگنال کوچک، مقدار فرکانس قطع 35GHz به ازای ولتاژ درین 10V و ولتاژ گیت – سورس متناظر با ماکزیمم مقدار ترارسانایی را برای این افزاره نشان می دهد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور با قابلیت حرکت الکترون بالا ، ساختارهای ناهمگون ، گاز الکترون دوبعدی