مزایای استفاده از GaN و AlN در طراحی ترانزیستور HEMT

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,707

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCNIEE02_043

تاریخ نمایه سازی: 29 بهمن 1392

چکیده مقاله:

در زندگی امروزه نیمه هادی ها کاربرد فراوانی دارند. به همین دلیل تقاضای کاربردهایی با پهنای باند بالا بسیار افزایش یافته است. ازاین رو نیمه هادی های با گاف انرژی بالا جهت کاربردهای الکترونیکی با توان بالا بسیار مورد توجه طراحان قرار گرفته است. از جمله ی اینکاربردها می توان به حیطه ی الکترونیک – توان و فرستنده های مایکروویوی برای ارتباطات از راه دور و رادار اشاره کرد. به نظر می رسد (گالیوم نیتریدGaNترانزیستوری با تحرک الکترونی بالاHEMT’s) دارای ساختاری چند لایه از نیمه هادی های مرکب است و انتخاب بسیار موفقی برای کاربرد های پر قدرت، دما بالا و فرکانس بالا هستند و به دلیل داشتن گاف انرژی بالا در تکنولوژی وسایل و مواد می تواند نوید بخش باشد در این نوشتار شبیه سازی ترانزیستورAlGaN/GaN HEMTبا استفاده از نرم افزارSilvacoبرای مقادیر مختلف ولتاژ و جریان آورده شده است.

نویسندگان

سمانه پناهی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات، گروه برق و الکترونیک، خمین، ایران

کریم عباسیان

دانشگاه تبریز، دانشکده فناوری نوین، گروه برق و الکترونیک

غلامرضا کیانی

دانشگاه تبریز، دانشکده فناوری نوین، گروه برق و الکترونیک

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • U.K. Mishra 1, P. Parikh 2, Y.F. Wu 3, _ ...
  • B.Faure 1, C.Richtarch 2, S.Kerdiles 3, S.Bressot 4, Y, MLe ...
  • G.G.shahidi 1, "SOI tcchnology for the GHZ era", may 2002 ...
  • _ semi cunductor. co.uk ...
  • Ronan G. Brady 1, Christopher H. Oxley 2, Thomas J. ...
  • P aram eter-Extrac tion Algorithm for GaN HEMT Devices, Student ...
  • H. Ammano 1, N. Sawaki 2, I. Akasaki 3, Y. ...
  • growth of high quality GaN film using an AlN buffer ...
  • T.W. Weeks 1, Jr. MD. Bremser 2, K.S. Ailey 3, ...
  • S. J. Pearton 1, J. C. Zolper 2, R. J. ...
  • X.H. Wang 1, X.L. Wang 2, C. Feng 3, C.B. ...
  • M icroeletronics Journal 39, 20-23, 2008. ...
  • Eickhoff 1, J. Schalwig 2, G. Steinhoff 3, O. Weidemann ...
  • Johnson 1, J.W.B. Lao 2, F. Ren 3, B.P. Gila ...
  • K.H. Lee 1, P.C. Chang 2, S.J. Chang 3, _ ...
  • S Keller 1, Y.-F. Wu 2, G. Parish 3, N. ...
  • Pro c _ sdevelopment and present status at UCSB", IEEE ...