ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

مزایای استفاده از GaN و AlN در طراحی ترانزیستور HEMT

تعداد صفحات: 5 | تعداد نمایش خلاصه: 1517 | نظرات: 0
سال انتشار: 1392
کد COI مقاله: NCNIEE02_043
زبان مقاله: فارسی
(فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.

برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید.در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.

لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید.

برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 5 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : 0 تومان

آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله مزایای استفاده از GaN و AlN در طراحی ترانزیستور HEMT

سمانه پناهی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات، گروه برق و الکترونیک، خمین، ایران
کریم عباسیان - دانشگاه تبریز، دانشکده فناوری نوین، گروه برق و الکترونیک
غلامرضا کیانی - دانشگاه تبریز، دانشکده فناوری نوین، گروه برق و الکترونیک

چکیده مقاله:

در زندگی امروزه نیمه هادی ها کاربرد فراوانی دارند. به همین دلیل تقاضای کاربردهایی با پهنای باند بالا بسیار افزایش یافته است. ازاین رو نیمه هادی های با گاف انرژی بالا جهت کاربردهای الکترونیکی با توان بالا بسیار مورد توجه طراحان قرار گرفته است. از جمله ی اینکاربردها می توان به حیطه ی الکترونیک – توان و فرستنده های مایکروویوی برای ارتباطات از راه دور و رادار اشاره کرد. به نظر می رسد (گالیوم نیتریدGaNترانزیستوری با تحرک الکترونی بالاHEMT’s) دارای ساختاری چند لایه از نیمه هادی های مرکب است و انتخاب بسیار موفقی برای کاربرد های پر قدرت، دما بالا و فرکانس بالا هستند و به دلیل داشتن گاف انرژی بالا در تکنولوژی وسایل و مواد می تواند نوید بخش باشد در این نوشتار شبیه سازی ترانزیستورAlGaN/GaN HEMTبا استفاده از نرم افزارSilvacoبرای مقادیر مختلف ولتاژ و جریان آورده شده است.

کلیدواژه ها:

گاف انرژي، گاليوم نيتريد، نيمه هادي .Silvaco ،HEMT

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/233538/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
پناهی، سمانه و عباسیان، کریم و کیانی، غلامرضا،1392،مزایای استفاده از GaN و AlN در طراحی ترانزیستور HEMT،دومین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق،اصفهان،،،https://civilica.com/doc/233538

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1392، پناهی، سمانه؛ کریم عباسیان و غلامرضا کیانی)
برای بار دوم به بعد: (1392، پناهی؛ عباسیان و کیانی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود ممقالهقاله لینک شده اند :

  • U.K. Mishra 1, P. Parikh 2, Y.F. Wu 3, _ ...
  • B.Faure 1, C.Richtarch 2, S.Kerdiles 3, S.Bressot 4, Y, MLe ...
  • G.G.shahidi 1, "SOI tcchnology for the GHZ era", may 2002 ...
  • _ semi cunductor. co.uk ...
  • Ronan G. Brady 1, Christopher H. Oxley 2, Thomas J. ...
  • P aram eter-Extrac tion Algorithm for GaN HEMT Devices, Student ...
  • H. Ammano 1, N. Sawaki 2, I. Akasaki 3, Y. ...
  • growth of high quality GaN film using an AlN buffer ...
  • T.W. Weeks 1, Jr. MD. Bremser 2, K.S. Ailey 3, ...
  • S. J. Pearton 1, J. C. Zolper 2, R. J. ...
  • X.H. Wang 1, X.L. Wang 2, C. Feng 3, C.B. ...
  • M icroeletronics Journal 39, 20-23, 2008. ...
  • Eickhoff 1, J. Schalwig 2, G. Steinhoff 3, O. Weidemann ...
  • Johnson 1, J.W.B. Lao 2, F. Ren 3, B.P. Gila ...
  • K.H. Lee 1, P.C. Chang 2, S.J. Chang 3, _ ...
  • S Keller 1, Y.-F. Wu 2, G. Parish 3, N. ...
  • Pro c _ sdevelopment and present status at UCSB", IEEE ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه آزاد
    تعداد مقالات: 1,346
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    مقالات پیشنهادی مرتبط

    مقالات مرتبط جدید

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی