بررسی مشخصات الکتریکی ترانزیستور با قابلیت حرکت بالا مبتنی بر ساختار ناهمگون
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 962
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE16_195
تاریخ نمایه سازی: 21 تیر 1393
چکیده مقاله:
در این مقاله ترانزیستوری با قابلیت حرکت بالا (HEMT) مبتنی بر ساختار ناهمگون AlGaN/GaN/AlInN/GaN ارائه می شود و با استفاده از شبیه سازی عددی، مشخصات الکتریکی آن مورد بررسی قرار می گیرد. با استفاده از لایه Al(0.83)In0.17N با میدان قطبی شدگی قویتر و شکاف انرژی بزرگتر در آن نسبت به مقادیر متناظر در لایه Al0.3Ga0.7N مقدار بارهای قطبی شدگی و همچنین میزان ناپیوستگی در باند هدایت در فصل مشترک AlInN/GaN افزایش یافته که منجر به تشکیل چاه کوانتومی عمیق با وجود تراکم بالایی از الکترون ها در این فصل مشترک به عنوان کانال دوم می گردد. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که در افزاره ارائه شده، بیشینه جریان درین 2/8A/mm در ولتاژ درین 10V و ولتاژ گیت 0V و بیشینه هدایت انتقالی 400mS/mm در ولتاژ گیت -2V حاصل می شود. همچنین رفتار سیگنال کوچک، مقدار فرکانس قطع 35GHz به ازای ولتاژ درین 10V و ولتاژ گیت – سورس متناظر با ماکزیمم مقدار ترارسانایی را برای این افزاره نشان می دهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سونیا صادقی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ابهر، باشگاه پژوهشگران جوان
محمدجواد محمدزمانی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
مرتضی فتحی پور
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :