بررسی سد پتانسیل تدریجی بر عملکرد ترانزیستور GaN HEMT
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 867
فایل این مقاله در 19 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF02_216
تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395
چکیده مقاله:
با پیشرفت فناوری های نوین، استفاده از قطعات نیمه هادی با فرکانس کاری وسرعت بالا ودر عین حال نویز وتوان مصرفی پایین دراندازه های کوچکتر افزایش یافته است .قطعات نیمه هادی برپایه GaN HEMT از این نوع می باشد .در این مقاله عملکرد نمونه ای از این ترانزیستورها را با تغییر تدریجی دوپینگ سد پتانسیل از نظر مشخصه های خروجی قطعه بررسی میگردد .تغییر دوپینگ به صورت افزایشی وکاهشی بوده که با حالت دوپینگ یکنواخت مقایسه میگردد .شبیه سازی قطعه با نرم افزار Silvaco می باشد.با توجه به نتایج بدست آمده از خروجی قطعه در سه حالت افزایشی،کاهشیویکنواخت مشخصه های قطعه در حالت کاهشی بهبود یافته است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مریم شایع سبزوار
دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشگاه آزاد اسلامی واحد بجنورد
سیدابراهیم حسینی
استادیار،دانشگاه فردوسی مشهد،دانشکده فنی مهندسی،گروه برق الکترونیک
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :