بررسی اثر کاشت سورس - درین بر مقاومت کانال در ترانزیستور سیلیکون روی الماس با عایق دولایه
سال انتشار: 1404
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 274
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JIAE-22-1_007
تاریخ نمایه سازی: 17 خرداد 1404
چکیده مقاله:
در این مقاله، به بررسی و شبیه سازی جامع مقاومت سورس و درین (Rsd) در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با عایق دولایه (DI-SOI) با کانال ۲۲ نانومتر پرداخته می شود. برای اولین بار، اثر ناحیه کاشت یونی با ابعاد مختلف (حالت صفر و حالت کمینه) بر مقاومت سورس و درین به طور کامل بررسی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که مقاومت سورس و درین به طور قابل توجهی تحت تاثیر ابعاد و نوع ناحیه کاشت یونی قرار می گیرد. بهینه سازی ابعاد و نوع ناحیه یونی می تواند این مقاومت را تا ۵ برابر کاهش دهد. این مطالعه نشان می دهد که استفاده از ناحیه یونی با ابعاد و نوع مناسب می تواند به طور قابل توجهی مقاومت سورس و درین را در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با عایق دولایه با کانال ۲۲ نانومتر کاهش دهد. این امر می تواند به بهبود عملکرد و کارایی این ترانزیستورها در کاربردهای مختلف الکترونیکی منجر شود.
کلیدواژه ها:
Double-insulated silicon-on-diamond MOSFETs ، Source/drain resistance ، Silicon-on-insulator MOSFET ، MOSFET ، Silicon-on-Diamond ، سیلیکون روی عایق ، سیلیکون روی الماس ، سیلیکون روی الماس با عایق دولایه ، مقاومت سورس و درین ، مقاومت کانال ، ماسفت
نویسندگان
افشین دادخواه
Shahrekord University
آرش دقیقی
Shahrekord University
وحید حاتمی
Shahrekord University
عرفان محمدی
Department of Electrical Engineering and Computer Science
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
