شبیه سازی فرآیندهای ساخت سیماس برای ترانزیستور سیلیکون روی الماس دولایه
سال انتشار: 1404
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 82
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JIAE-22-1_008
تاریخ نمایه سازی: 17 خرداد 1404
چکیده مقاله:
در این مقاله برای اولین بار به شبیه سازی ساخت و پیاده سازی فرآیند های سیماس برای ترانزیستور سیلیکون روی الماس دولایه پرداخته شده است. فرآیندهای ساخت این ترانزیستور متناسب با تکنولوژی سایز ۲۲ نانومتری آن و وجود دو لایه ی اصلی عایق در این ساختار، مطابق با استانداردهای ساخت سیماس افزاره های نیمه رسانا پیاده سازی شده است؛ الماس به عنوان عایق الکتریکی اول دارای هدایت حرارتی بالا است که امکان کاربرد این ساختار را در شرایط دمایی یکسان در توان و فرکانس های بالاتر فراهم می کند. همچنین به دلیل وجود اکسید سیلیکون به عنوان عایق الکتریکی دوم، امکان کنترل و بهبود برخی از مشخصات الکتریکی اصلی ترانزیستور نظیر: ولتاژ آستانه، فرکانس قطع بهره واحد، جریان روشنایی و غیره را میسر می سازد. به همین جهت: ولتاژ آستانه ۲۲۵/۰ ولت، جریان روشنایی ۰۴۵/۰ میلی آمپر بر مایکرون و فرکانس قطع بهره واحد ۳۷۰ گیگاهرتز، از نمودارهای مشخصات الکتریکی ساختار نهایی ترانزیستور استخراج و بررسی شد تا اطمینان حاصل گردد ترانزیستور ساخته شده با هدف اثبات امکان ساخت آن، کارآیی مطلوب و برتر را نیز نسبت به ساختارهای پیشین دارد. نتایج حاصل از شبیه سازی و تحقیقات پیشین، موید برتری این ساختار و جایگزینی پیشرفته تر برای ساختارهای پیشین با فناوری سنتی سیلیکون رو عایق است.
کلیدواژه ها:
Simulation of Fabrication Process ، Silicon-on-Diamond Transistor ، Silicone on double layer insulation ، CMOS standard processes ، MOSFET ، شبیه سازی فرآیندهای ساخت ، ترانزیستور سیلیکون روی الماس ، سیلیکون روی عایق دولایه ، فرآیندهای استاندارد سیماس ، ماسفت
نویسندگان
حامد اسکندری
Shahrekord University
آرش دقیقی
Shahrekord University
اسماعیل شفقت دهکردی
Shahrekord University
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :