شبیه سازی فرآیندهای ساخت سیماس برای ترانزیستور سیلیکون روی الماس دولایه

سال انتشار: 1404
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 82

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JIAE-22-1_008

تاریخ نمایه سازی: 17 خرداد 1404

چکیده مقاله:

در این مقاله برای اولین بار به شبیه سازی ساخت و پیاده سازی فرآیند های سیماس برای ترانزیستور سیلیکون روی الماس دولایه پرداخته شده است. فرآیندهای ساخت این ترانزیستور متناسب با تکنولوژی سایز ۲۲ نانومتری آن و وجود دو لایه ی اصلی عایق در این ساختار، مطابق با استانداردهای ساخت سیماس افزاره های نیمه رسانا پیاده سازی شده است؛ الماس به عنوان عایق الکتریکی اول دارای هدایت حرارتی بالا است که امکان کاربرد این ساختار را در شرایط دمایی یکسان در توان و فرکانس های بالاتر فراهم می کند. همچنین به دلیل وجود اکسید سیلیکون به عنوان عایق الکتریکی دوم، امکان کنترل و بهبود برخی از مشخصات الکتریکی اصلی ترانزیستور نظیر: ولتاژ آستانه، فرکانس قطع بهره واحد، جریان روشنایی و غیره را میسر می سازد. به همین جهت: ولتاژ آستانه ۲۲۵/۰ ولت، جریان روشنایی ۰۴۵/۰ میلی آمپر بر مایکرون و فرکانس قطع بهره واحد ۳۷۰ گیگاهرتز، از نمودارهای مشخصات الکتریکی ساختار نهایی ترانزیستور استخراج و بررسی شد تا اطمینان حاصل گردد ترانزیستور ساخته شده با هدف اثبات امکان ساخت آن، کارآیی مطلوب و برتر را نیز نسبت به ساختارهای پیشین دارد. نتایج حاصل از شبیه سازی و تحقیقات پیشین، موید برتری این ساختار و جایگزینی پیشرفته تر برای ساختارهای پیشین با فناوری سنتی سیلیکون رو عایق است.

کلیدواژه ها:

Simulation of Fabrication Process ، Silicon-on-Diamond Transistor ، Silicone on double layer insulation ، CMOS standard processes ، MOSFET ، شبیه سازی فرآیندهای ساخت ، ترانزیستور سیلیکون روی الماس ، سیلیکون روی عایق دولایه ، فرآیندهای استاندارد سیماس ، ماسفت

نویسندگان

حامد اسکندری

Shahrekord University

آرش دقیقی

Shahrekord University

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • J. D. Plummer, Silicon VLSI technology: fundamentals, practice and modeling. ...
  • D. Li, W. Lin, Q. Wang, X. Lv, T. Zhang, ...
  • C. Fiegna, Y. Yang, E. Sangiorgi, and A. G. O'Neill, ...
  • J. Zimmer and G. Chandler, "GaN on SOD Substrates-The Next ...
  • K. Raleva, D. Vasileska, and S. M. Goodnick, "Is SOD ...
  • A. Daghighi and A. Farajzadeh, "Investigation of Temperature Effects in ...
  • G. Song, Y. Wang, and D. Q. Tan, "A review ...
  • A. Priya and R. A. Mishra, "A two dimensional analytical ...
  • N. Ghobadi and A. Afzali-Kusha, "Investigation and Modeling of Negative ...
  • W. Ke, X. Han, D. Li, X. Liu, R. Han, ...
  • B. Vandana, "Study of floating body effect in SOI technology", ...
  • J.-P. Mazellier, O. Faynot, S. Cristoloveanu, S. Deleonibus, and P. ...
  • A. Daghighi, "A novel structure to improve DIBL in fully-depleted ...
  • A. Daghighi, "Double insulating silicon on diamond device", ed: Google ...
  • K. K. Young, "Analysis of conduction in fully depleted SOI ...
  • A. Daghighi and A. Dadkhah, "A capacitance model for threshold ...
  • A. Daghighi, J. Hoseini-Teshnizi, and G. Amini, "A Novel Silicon ...
  • Z. Sepehri and A. Daghighi, "Analytical Threshold Voltage Computations for ...
  • S. Cristoloveanu, "The SOI Transistor", ۷۵th Anniversary of the Transistor, ...
  • A. Rashid, "Review of:"(Field effect nano transistors) Nano transistor electronic ...
  • X. Huang, C. Zhou, B. Wu, Z. Geng, and X. ...
  • J. Ahopelto et al., "NanoElectronics roadmap for Europe: From nanodevices ...
  • Y. Song et al., "Relationship between Co-related optical centres and ...
  • J. Liu et al., "Carrier mobility enhancement on the H-terminated ...
  • Z. Ren et al., "Diamond field effect transistors with MoO ...
  • H. Umezawa, T. Matsumoto, and S.-I. Shikata, "Diamond metal-semiconductor field-effect ...
  • Z. Hoseini and A. Daghighi, "Investigation and simulation of the ...
  • J. D. Plummer, Silicon VLSI technology: fundamentals, practice and modeling. ...
  • D. Li, W. Lin, Q. Wang, X. Lv, T. Zhang, ...
  • C. Fiegna, Y. Yang, E. Sangiorgi, and A. G. O'Neill, ...
  • J. Zimmer and G. Chandler, "GaN on SOD Substrates-The Next ...
  • K. Raleva, D. Vasileska, and S. M. Goodnick, "Is SOD ...
  • A. Daghighi and A. Farajzadeh, "Investigation of Temperature Effects in ...
  • G. Song, Y. Wang, and D. Q. Tan, "A review ...
  • A. Priya and R. A. Mishra, "A two dimensional analytical ...
  • N. Ghobadi and A. Afzali-Kusha, "Investigation and Modeling of Negative ...
  • W. Ke, X. Han, D. Li, X. Liu, R. Han, ...
  • B. Vandana, "Study of floating body effect in SOI technology", ...
  • J.-P. Mazellier, O. Faynot, S. Cristoloveanu, S. Deleonibus, and P. ...
  • A. Daghighi, "A novel structure to improve DIBL in fully-depleted ...
  • A. Daghighi, "Double insulating silicon on diamond device", ed: Google ...
  • K. K. Young, "Analysis of conduction in fully depleted SOI ...
  • A. Daghighi and A. Dadkhah, "A capacitance model for threshold ...
  • A. Daghighi, J. Hoseini-Teshnizi, and G. Amini, "A Novel Silicon ...
  • Z. Sepehri and A. Daghighi, "Analytical Threshold Voltage Computations for ...
  • S. Cristoloveanu, "The SOI Transistor", ۷۵th Anniversary of the Transistor, ...
  • A. Rashid, "Review of:"(Field effect nano transistors) Nano transistor electronic ...
  • X. Huang, C. Zhou, B. Wu, Z. Geng, and X. ...
  • J. Ahopelto et al., "NanoElectronics roadmap for Europe: From nanodevices ...
  • Y. Song et al., "Relationship between Co-related optical centres and ...
  • J. Liu et al., "Carrier mobility enhancement on the H-terminated ...
  • Z. Ren et al., "Diamond field effect transistors with MoO ...
  • H. Umezawa, T. Matsumoto, and S.-I. Shikata, "Diamond metal-semiconductor field-effect ...
  • Z. Hoseini and A. Daghighi, "Investigation and simulation of the ...
  • نمایش کامل مراجع