اثر طول گیت بر روی فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN/GaN

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 7,172

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC86_095

تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385

چکیده مقاله:

در این مقاله یک مدل تحلیلی برای فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پذیری بالای الکترونی AlGaN/GaN ارائه شده که قادر می سازد بطور دقیق اثر طول گیت را بر فرکانس قطع و مینیمم نویز بدست آوریم . در این مدل زیر باندهای کوانتمی پر ونیمه پر چاه کوانتمی دو بعدی ، بهمراه ترکیبی از حل معادله شرودینگر و پواسون و وارد کردن اثر حالتهای تله های الکترونی ، جریان در سد AlGaN ، جریان کل گیت و دمای کانال چاه کوانتمی دو بعدی منظور شده است . نتایج حاصله از مدل تطابق خوبی با داده های تجربی موجود برای ساختار HEMT دارد

نویسندگان

زهرا هاشم پور

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات ، مرکز تحقیقات فیزیک پلاسما

منوچهر کلافی

پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز ، تبریز

رجب یحیی زاده

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی

اصغر عسگری

پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز ، تبریز