اثر طول گیت بر روی فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان AlGaN/GaN
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1386
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 7,175
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC86_095
تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385
چکیده مقاله:
در این مقاله یک مدل تحلیلی برای فرکانس قطع و منیمم نویز ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک پذیری بالای الکترونی AlGaN/GaN ارائه شده که قادر می سازد بطور دقیق اثر طول گیت را بر فرکانس قطع و مینیمم نویز بدست آوریم . در این مدل زیر باندهای کوانتمی پر ونیمه پر چاه کوانتمی دو بعدی ، بهمراه ترکیبی از حل معادله شرودینگر و پواسون و وارد کردن اثر حالتهای تله های الکترونی ، جریان در سد AlGaN ، جریان کل گیت و دمای کانال چاه کوانتمی دو بعدی منظور شده است . نتایج حاصله از مدل تطابق خوبی با داده های تجربی موجود برای ساختار HEMT دارد
نویسندگان
زهرا هاشم پور
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات ، مرکز تحقیقات فیزیک پلاسما
منوچهر کلافی
پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز ، تبریز
رجب یحیی زاده
گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی
اصغر عسگری
پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز ، تبریز