بررسی افزایش جریان نشتی در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس تمام تخلیه

دراین مقاله شبیه سازی افزاره یک ساختارترانزیستورسیلیکون روی عایق مورد بررسی قرارمیگیرد عایق مدفون دراین ترانزیستورها دی اکسید سیلیکون و الماس قرار داده شده و جریان نشتی درهرکدام مورد شبیه سازی قرار میگیرد پروسه موردنظر ترانزیستورهای تمام تخلیه بدنه فوق نازک باطول کانال 22 نانومتر میب اشد شبیه سازی دوبعدی هیدرودینامیک ازترانزیستورانجام می یابد نشان داده شد که جریان نشتی درترانزیستورهای سیلیکون روی الماس به اندازه 47درصد درمقایسه با سیلیکون روی عایق افزایش یافته است درترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با افزایش ثابت دی الکتریک از5.7به 10 جریان نشتی افزایش بیشتری پیدا می کند این درحالیست که ماکزیمم درجه حرارت کانال درترانزیستورهای سیلیکون روی الماس به اندازه 30 درجه کلوین و سیلیکون روی عایق به اندازه 180 درجه کلوین افزایش می یابد نتایج شبیه سازی بیانگرکارکرد مطلوب زیرلایه سیلیکون روی الماس می باشد

کلیدواژه ها:

ترانزیستورMOSFET ، سیلیکون روی عایق ، سیلیکون روی الماس ، کاهش سدپتانسیل درین ، بدنه فوق نازک ، شبیه سازی هیدرودینامیک