تاثیر آلایش نواحی سورس-درین روی بهبود عملکرد نانو ماسفت دو گیتی با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی

در این تحقیق تاثیر غلظت آلایش نواحی سورس-درین را در یک نانو ترانزیستور اثر میدانی (ماسفت) دو گیتی، با بررسیپارامترهایی مانند جریان روشن، جریان خاموش، نوسانات زیر آستانه، کاهش سد القایی درین و مقاومت روشن، بررسی می شود.شبیه سازی بر اساس حل خود- سازگاری معادله دو بعدی پواسون با معادله شرودینگر، به روش تابع گرین غیر تعادلی، انجام می شود.

کلیدواژه ها:

ماسفت ، معادله شرودینگر ، حل خودسازگار ، نوسانات زیر آستانه ، اثرات کانال کوتاه ، دوپت نواحی سورس-درین