شبیه سازی تغییرات مقاومت سورس بر اثر تغییرات کاشت یونی این ناحیه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه

در این مقاله ابتدا دلایل استفاده از تکنولوژی سیلیکون روی الماس SOD به عنوان جایگزینی مناسب برای تکنولوژی سیلیکون - روی عایق SOI را بیان می کنیم و سپس اهمیت استفاده از فناوری سیلیکون - روی الماس دو لایه را به عنوان یک ساختار بهبود یافته بررسی می کنیم. اهمیت مقاومت سورس - درین Rsd در ترازیستورهای ماسفت زمانی بیشتر می شود که این تکنولوژی به سمت کوچکتر شدن در اندازه و ابعاد پیش می رود و این امر از آنجایی است که مقاومت سورس - درین RSD نسبت مستقیمی با طول کانال کاهش یافته DL دارد و طول کانال کاهش یافته DL نیز از شرایط ساخت از جمله لیتوگرافی گیت، شرایط حکاکی و دیفیوژن لبه ای سورس و درین تاثیر مستقیم می پذیرد. در این مقاله برای بررسی مقاومت سورس - درین RSD از نرم افزار شبیه ساز ادوات نیمه هادی که یکی از ابزارهای قدرتمند برای طراحی و شبیه سازی ادوات نیمه هادی در واحد میکرون است استفاده کرده ایم و مدل های و حالت های مختلفی را شبیه سازی کرده ایم که نتایج شبیه سازی ساختار مقاومت سورس - درین RSD را متضمن می شود.

کلیدواژه ها:

سیلیکون روی عایق ، سیلیکون روی الماس دو لایه ، مقاومت سورس - درین ، کاشت یونی