لایه نشانی و بررسی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه نازک ZnO:Ga
محل انتشار: نخستین کنفرانس سراسری فیزیک و کاربردهای آن
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 921
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCPHYAPP01_040
تاریخ نمایه سازی: 17 اردیبهشت 1392
چکیده مقاله:
در این تحقیق ساخت لایه های نازک اکسید روی آلاییده با گالیم (ZnO:Ga) به روش سل ژل گزارش می شود. گالیم با درصدهای مختلف (0-2%) وارد ساختار لایه نازک ZnO د. نتایج حاصل از بررسی خواص ساختاری، الکتریکی، اپتیکی لایه های نازک حاکی از این بود که نمونه های 2% بهترین میزان عبور و کمترین میزان مقاومت الکتریکی ویژه را دارا بوده است. تأثیر دمای بازپخت بر روی خواص الکتریکی نیز مورد کاوش قرار گرفت.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سعید سالاری
دانشکده مهندسی هستهای و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهر
کاووس میر عباس زاده
دانشکده مهندسی هستهای و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهر
مهدی احمدی
دانشکده مهندسی هستهای و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :