لایه نشانی و بررسی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه نازک ZnO:Ga

در این تحقیق ساخت لایه های نازک اکسید روی آلاییده با گالیم (ZnO:Ga) به روش سل ژل گزارش می شود. گالیم با درصدهای مختلف (0-2%) وارد ساختار لایه نازک ZnO د. نتایج حاصل از بررسی خواص ساختاری، الکتریکی، اپتیکی لایه های نازک حاکی از این بود که نمونه های 2% بهترین میزان عبور و کمترین میزان مقاومت الکتریکی ویژه را دارا بوده است. تأثیر دمای بازپخت بر روی خواص الکتریکی نیز مورد کاوش قرار گرفت.

کلیدواژه ها:

لایه نشانی ، اکسید روی ، سل ژل ، پوشش دهی غوطه وری ، گالیم ZnO:Ga