اندازه گیری ضریب شکست تیغه های اپتیکی نازک از طریق تداخل سنج مایکلسون

در این تحقیق لایه نشانی (CdTe) به روش الکترو دیپوزیشن بر روی زیر لایه Ito ⁄ لام انجام گرفت و ضریب شکست هر یکاز تیغه ها و ضریب شکست موثر آن ها با استفاده از تداخل سنجی مایکلسون اندازه گیری شد . لایه ی CdTe با ضخامت ۶ / ۲ میکرومتربر روی زیر لایه نشانده شده و ضریب شکست لام ، Ito و CdTe به ترتیب ۴ / ۱ ، ۹ / ۱ و ۹ / ۲ اندازه گیری شد. اندازه گیری ضریبشکست باروش تداخل سنجی مایکلسون میتواند جایگزین روش های گران قیمت شود.

کلیدواژه ها:

تداخلسنج مایکلسون ، تیغه اپتیکی ، ضریب شکست ، لایه نازک ITO ، لایه نازک CdTe