طراحی و شبیه سازی ترانزیستور CMOS در باند فرکانس RF و تعیین مشخصه های بهینه شده در ارتباطات

در سی سال گذشته. مدارهای مجتمع از ساختارهای کم سرعت با پیچیدگی کم به سیستم"های پرسرعت و پیچیده که شامل تعدادبیشماری مدار الکترونیکی می باشد تبدیل شده اند. افزایش اثرات کانال کوتاه به نظر می رسد به عنوان یک مانع عمده برای حفظبهبود عملکرد معمولی ماسفت بالک ‎SI (ماسفت) متداول با گره تکنولوژی نانومتری است. اختلاط فن آوری های جدید در حالتبدیل شدن دستگاه های CMOS زیر میکرون عمیق است. در میان راه حل های مختلف ممکن است. ساختار دستگاه ماسفت غیرمتعارف با به کارگیری مهندسی مواد گیت استفاده می شودکه باعث بهبود بهره وری انتقال کیت توسط اصلاح الگوی میدانالکتریکی وتغییراحتمالی سطح در طول کانال میشود. در این تحقیق به بررسی تغییرات میدان و پتانسیل در ترانزیستورهای با گیت دوماده ای می پردازیم. بعلاوه در این تحقیق به طراحی و شبیه سازی ترانزیستور GAA استوانه ای و مستطیلی می پردازیم. ابتدا بهطراحی و شبیه سازی ترانزیستور GAA استوانه ای پرداخته و مشخصه های آن شامل نمودار ولتاژ-جریان. شیب زیرآستانه، جریانروشن و خاموش و ولتاژ آستانه ی آن را بررسی می کنیم. و سپس با شبیه سازی این اثرات در ترانزیستور GAA مستطیلی نتایج آن را با یکدیگر مقایسه می کنیم.

کلیدواژه ها:

دروازه استوانه ای همه اطراف (Cy-GAA) ، دروازه دوگانه (DG) ، جریان نشتی