تحلیل حساسیت یونیزاسیون برخوردی حامل الکتریکی با شبکه پرسپترون چند لایه
محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 603
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
این مقاله در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE04_283
تاریخ نمایه سازی: 6 مهر 1391
چکیده مقاله:
در این مقاله ابتدا با استفاده از شبکه پرسپترون چند لایه ظرایب، یونیزاسیون برخوردی الکترون و حفره را محاسبه می کنیم. برای این کار گاف انرژی (g)E، جرم مؤثر حامل و میدان الکتریکی را به عنوان ورودی شبکه در نظر می گیریم. ضرایب یونیزاسیون برخوردی الکترون و حفره، خروجی شبکه خواهند بود. با الگوریتم آموزشی trainlm شبکه را آموزش می دهیم تا به کمترین خطای آموزش دست یابیم. پس از ارزیابی درستی کارکرد شبکه، ضرایب یونیزاسیون برخوردی الکترون و حفره را نسبت به هر یک از پارامترها به ازای ثابت ماندن دیگر متغیرها اریابی می کنیم.
کلیدواژه ها:
یونیزاسیون برخوردی ، شبکه عصبی پرسپترون چند لایه
نویسندگان
ایران سلطانی نوروزی
دانشجوی کارشناسی ارشد- دانشکده تحصیلات تکمیلی دانشگاه آزاد اسلامی وا
محمد سروش
استادیار- دانشکده مهندسی دانشگاه شهید چمران اهواز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :