تقویت کننده کم نویز کم مصرف و گین بالا در باند فرکانسی 3 تا 10 گیگاهرتز
محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 5,218
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE03_248
تاریخ نمایه سازی: 18 مهر 1390
چکیده مقاله:
دراین مقاله یک تقویت کننده با نویز پایین Low noise amplifier با استفاده از تکنولوژی 0.18μm CMOS در توپولوژی گیت مشترک و در باند فرکانس 3 -10 GHz ( Ultra wide band ( مورد بررسی قرارگرفته است دراین طرح توسط یک طبقه کاسکود و انتخاب بهینه مقادیر المان ها گین مدار را افزایش می دهیم نتایج شبیه سازی درنرم افزار ADS ( Advance design system مقدار گین S21 ، و 19تا 23 دسی بل ماکزیمم نویز فیگر NF برابر 3/7 دسی بل و مچینگ ورودی S11 کمتر از -17 دسی بل کهمطلوب می باشد را نشان میدهد به منظور کاهش توان مصرفی تغذیه مدار 1 ولت انتخاب شده است که توان مصرفی مدار برابر 6.26 میلی وات می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :