ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی

محل انتشار: فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران، دوره: 18، شماره: 1
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 342

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/1157319

شناسه ملی سند علمی:

JR_JIAE-18-1_002

تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1399

چکیده مقاله:

خواص الکترونیکی و رفتار یکسوسازی دیود­های خود سوئیچ گرافنی با آلایش گیت­های جانبی با اتم­های نیتروژن و بور، با استفاده از روش تنگ بست تابعی چگالی، مورد بررسی قرار گرفت. آلایش گیت­های ادوات، سبب تغییر هدایت الکتریکی نانو نوار گرافنی گیت­ها و کانال نیمه­هادی می­گردد. در نتیجه، اندازه ولتاژ آستانه بایاس مستقیم به میزان قابل ملاحظه ای کاهش یافته، به صورتی که در ساختارهای 565 آلایش یافته با اتم­های بور و نیتروژن، این ولتاژ نزدیک به صفر است. همچنین، جریان الکتریکی عبوری در بایاس مستقیم و معکوس ادوات آلایش یافته، نسبت به ساختار غیر آلائیده، به ترتیب افزایش و کاهش یافته است. در بین همه ساختارها، ساختار 565 آلایش یافته با اتم­های بور، دارای بیشترین نسبت یکسوسازی به میزان 55/558 است و ماکزیمم جریان عبوری در بایاس مستقیم در محدوده بایاس اعمالی نیز مربوط به این ساختار، به مقدار μA56/8 است.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

حسن قاضی اسدی

Department of physics, College of technical and engineering, Saveh branch, Islamic Azad University, Saveh

پیمان نایبی

Department of physics, College of technical and engineering, Saveh branch, Islamic Azad University, Saveh

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Auton, G., Zhang, J., Kumar, R. K., Wang, H., Zhang, ...
  • [2] Sarkar, K., Palit, M., Guhathakurata, S., Chattopadhyay, S., Banerji, ...
  • [3] Makihara, K., Kato, T., Kabeya, Y., Mitsuyuki, Y., Ohta, ...
  • [4] Yuan, L., Breuer, R., Jiang, L., Schmittel, M., Nijhuis, ...
  • [5] Auton, G. H., But, D., Zhang, J., Hill, E. W., ...
  • [6] Si, J., Liu, L., Wang, F., Zhang, Z., Peng, ...
  • [7] Zeng, X., Otnes, G., Heurlin, M., Mourão, R. T., ...
  • [8] Song, A. M., Missous, M., Omling, P., Peaker, A. ...
  • [9] Balocco, C., Kasjoo, S. R., Lu, X. F., Zhang, L. ...
  • [10] Balocco, C., Song, A. M., Åberg, M., Forchel, A., Gonz_alez, ...
  • [11] Kasjoo, S. R., Song, A. M., "Terahertz detection using nanorectifiers", ...
  • [12] Majewski, L. A., Balocco, C., King, R., Whitelegg, S., Song, ...
  • [13] Daher, C., Torres, J., Iniguez-de-la-Torre, I., Nouvel, P., Varani, ...
  • [14] Iniguez-de-la-Torre, I., Gonzalez, T., Pardo, D., Mateos, J., "Monte Carlo ...
  • [15] Al-Dirini, F., Hossain, F. M., Nirmalathas, A., Skafidas, E., "All-graphene ...
  • [16] Westlund, A., Winters, M., Ivanov, I. G., Hassan, J., Nilsson, ...
  • [17] Al-Dirini, F., Hossain, F. M., Nirmalathas, A., Skafidas, E.,"Asymmetrically-gated graphene ...
  • [18] Winters, M., Thorsell, M., Strupinski, W., Rorsman, N., "High frequency ...
  • [19] Al-Dirini, F., Nirmalathas, A., Skafidas, E., "Graphene self-switching diodes with ...
  • [20] Ghaziasadi, H., Jamasb, Sh., Nayebi, P., Fouladian, M., "Rectification of ...
  • [21] Stokbro, K. et al., "Semiempirical model for nanoscale device simulations", ...
  • [22] Momma, K., Izumi, F., "VESTA 3 for three-dimensional visualization of ...
  • [23] Büttiker, M., Imry, Y., Landauer, R., Pinhas, S. "Generalized ...
  • [24] Fisher, D. S., Lee, P. A., "Relation between conductivity and ...
  • [25] Yu, Sh. –Sh., Zheng, W. –T., "Effect of ...
  • [26] Yu, Sh. Sh., Zheng, W. T., Jiang, Q, "Electronic Properties ...
  • [1] Auton, G., Zhang, J., Kumar, R. K., Wang, H., ...
  • [2] Sarkar, K., Palit, M., Guhathakurata, S., Chattopadhyay, S., Banerji, ...
  • [3] Makihara, K., Kato, T., Kabeya, Y., Mitsuyuki, Y., Ohta, ...
  • [4] Yuan, L., Breuer, R., Jiang, L., Schmittel, M., Nijhuis, ...
  • [5] Auton, G. H., But, D., Zhang, J., Hill, E. W., ...
  • [6] Si, J., Liu, L., Wang, F., Zhang, Z., Peng, ...
  • [7] Zeng, X., Otnes, G., Heurlin, M., Mourão, R. T., ...
  • [8] Song, A. M., Missous, M., Omling, P., Peaker, A. ...
  • [9] Balocco, C., Kasjoo, S. R., Lu, X. F., Zhang, L. ...
  • [10] Balocco, C., Song, A. M., Åberg, M., Forchel, A., Gonz_alez, ...
  • [11] Kasjoo, S. R., Song, A. M., "Terahertz detection using nanorectifiers", ...
  • [12] Majewski, L. A., Balocco, C., King, R., Whitelegg, S., Song, ...
  • [13] Daher, C., Torres, J., Iniguez-de-la-Torre, I., Nouvel, P., Varani, ...
  • [14] Iniguez-de-la-Torre, I., Gonzalez, T., Pardo, D., Mateos, J., "Monte Carlo ...
  • [15] Al-Dirini, F., Hossain, F. M., Nirmalathas, A., Skafidas, E., "All-graphene ...
  • [16] Westlund, A., Winters, M., Ivanov, I. G., Hassan, J., Nilsson, ...
  • [17] Al-Dirini, F., Hossain, F. M., Nirmalathas, A., Skafidas, E.,"Asymmetrically-gated graphene ...
  • [18] Winters, M., Thorsell, M., Strupinski, W., Rorsman, N., "High frequency ...
  • [19] Al-Dirini, F., Nirmalathas, A., Skafidas, E., "Graphene self-switching diodes with ...
  • [20] Ghaziasadi, H., Jamasb, Sh., Nayebi, P., Fouladian, M., "Rectification of ...
  • [21] Stokbro, K. et al., "Semiempirical model for nanoscale device simulations", ...
  • [22] Momma, K., Izumi, F., "VESTA 3 for three-dimensional visualization of ...
  • [23] Büttiker, M., Imry, Y., Landauer, R., Pinhas, S. "Generalized ...
  • [24] Fisher, D. S., Lee, P. A., "Relation between conductivity and ...
  • [25] Yu, Sh. –Sh., Zheng, W. –T., "Effect of ...
  • [26] Yu, Sh. Sh., Zheng, W. T., Jiang, Q, "Electronic Properties ...
    • نمایش کامل مراجع