ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی

سال انتشار: 1399
کد COI مقاله: JR_JIAE-18-1_002
زبان مقاله: فارسیمشاهد این مقاله: 19
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 8 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی

حسن قاضی اسدی - Department of physics, College of technical and engineering, Saveh branch, Islamic Azad University, Saveh
پیمان نایبی - Department of physics, College of technical and engineering, Saveh branch, Islamic Azad University, Saveh

چکیده مقاله:

خواص الکترونیکی و رفتار یکسوسازی دیود­های خود سوئیچ گرافنی با آلایش گیت­های جانبی با اتم­های نیتروژن و بور، با استفاده از روش تنگ بست تابعی چگالی، مورد بررسی قرار گرفت. آلایش گیت­های ادوات، سبب تغییر هدایت الکتریکی نانو نوار گرافنی گیت­ها و کانال نیمه­هادی می­گردد. در نتیجه، اندازه ولتاژ آستانه بایاس مستقیم به میزان قابل ملاحظه ای کاهش یافته، به صورتی که در ساختارهای 565 آلایش یافته با اتم­های بور و نیتروژن، این ولتاژ نزدیک به صفر است. همچنین، جریان الکتریکی عبوری در بایاس مستقیم و معکوس ادوات آلایش یافته، نسبت به ساختار غیر آلائیده، به ترتیب افزایش و کاهش یافته است. در بین همه ساختارها، ساختار 565 آلایش یافته با اتم­های بور، دارای بیشترین نسبت یکسوسازی به میزان 55/558 است و ماکزیمم جریان عبوری در بایاس مستقیم در محدوده بایاس اعمالی نیز مربوط به این ساختار، به مقدار μA56/8 است.

کلیدواژه ها:

Graphene self-switching diode, Armchair graphene nanoribbon, Side gates doping, Boron, Nitrogen, Density functional tight-binding., دیود خودسوئیچ گرافنی, نانونوار گرافنی آرمچیر, آلایش گیت‌های جانبی, بور, نیتروژن, تنگ بست تابعی چگالی

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/1157319/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
قاضی اسدی، حسن و نایبی، پیمان،1399،یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی،،،،،https://civilica.com/doc/1157319

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1399، قاضی اسدی، حسن؛ پیمان نایبی)
برای بار دوم به بعد: (1399، قاضی اسدی؛ نایبی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود ممقالهقاله لینک شده اند :

  • Auton, G., Zhang, J., Kumar, R. K., Wang, H., Zhang, ...
  • [2] Sarkar, K., Palit, M., Guhathakurata, S., Chattopadhyay, S., Banerji, ...
  • [3] Makihara, K., Kato, T., Kabeya, Y., Mitsuyuki, Y., Ohta, ...
  • [4] Yuan, L., Breuer, R., Jiang, L., Schmittel, M., Nijhuis, ...
  • [5] Auton, G. H., But, D., Zhang, J., Hill, E. W., ...
  • [6] Si, J., Liu, L., Wang, F., Zhang, Z., Peng, ...
  • [7] Zeng, X., Otnes, G., Heurlin, M., Mourão, R. T., ...
  • [8] Song, A. M., Missous, M., Omling, P., Peaker, A. ...
  • [9] Balocco, C., Kasjoo, S. R., Lu, X. F., Zhang, L. ...
  • [10] Balocco, C., Song, A. M., Åberg, M., Forchel, A., Gonz_alez, ...
  • [11] Kasjoo, S. R., Song, A. M., "Terahertz detection using nanorectifiers", ...
  • [12] Majewski, L. A., Balocco, C., King, R., Whitelegg, S., Song, ...
  • [13] Daher, C., Torres, J., Iniguez-de-la-Torre, I., Nouvel, P., Varani, ...
  • [14] Iniguez-de-la-Torre, I., Gonzalez, T., Pardo, D., Mateos, J., "Monte Carlo ...
  • [15] Al-Dirini, F., Hossain, F. M., Nirmalathas, A., Skafidas, E., "All-graphene ...
  • [16] Westlund, A., Winters, M., Ivanov, I. G., Hassan, J., Nilsson, ...
  • [17] Al-Dirini, F., Hossain, F. M., Nirmalathas, A., Skafidas, E.,"Asymmetrically-gated graphene ...
  • [18] Winters, M., Thorsell, M., Strupinski, W., Rorsman, N., "High frequency ...
  • [19] Al-Dirini, F., Nirmalathas, A., Skafidas, E., "Graphene self-switching diodes with ...
  • [20] Ghaziasadi, H., Jamasb, Sh., Nayebi, P., Fouladian, M., "Rectification of ...
  • [21] Stokbro, K. et al., "Semiempirical model for nanoscale device simulations", ...
  • [22] Momma, K., Izumi, F., "VESTA 3 for three-dimensional visualization of ...
  • [23] Büttiker, M., Imry, Y., Landauer, R., Pinhas, S. "Generalized ...
  • [24] Fisher, D. S., Lee, P. A., "Relation between conductivity and ...
  • [25] Yu, Sh. –Sh., Zheng, W. –T., "Effect of ...
  • [26] Yu, Sh. Sh., Zheng, W. T., Jiang, Q, "Electronic Properties ...
  • [1] Auton, G., Zhang, J., Kumar, R. K., Wang, H., ...
  • [2] Sarkar, K., Palit, M., Guhathakurata, S., Chattopadhyay, S., Banerji, ...
  • [3] Makihara, K., Kato, T., Kabeya, Y., Mitsuyuki, Y., Ohta, ...
  • [4] Yuan, L., Breuer, R., Jiang, L., Schmittel, M., Nijhuis, ...
  • [5] Auton, G. H., But, D., Zhang, J., Hill, E. W., ...
  • [6] Si, J., Liu, L., Wang, F., Zhang, Z., Peng, ...
  • [7] Zeng, X., Otnes, G., Heurlin, M., Mourão, R. T., ...
  • [8] Song, A. M., Missous, M., Omling, P., Peaker, A. ...
  • [9] Balocco, C., Kasjoo, S. R., Lu, X. F., Zhang, L. ...
  • [10] Balocco, C., Song, A. M., Åberg, M., Forchel, A., Gonz_alez, ...
  • [11] Kasjoo, S. R., Song, A. M., "Terahertz detection using nanorectifiers", ...
  • [12] Majewski, L. A., Balocco, C., King, R., Whitelegg, S., Song, ...
  • [13] Daher, C., Torres, J., Iniguez-de-la-Torre, I., Nouvel, P., Varani, ...
  • [14] Iniguez-de-la-Torre, I., Gonzalez, T., Pardo, D., Mateos, J., "Monte Carlo ...
  • [15] Al-Dirini, F., Hossain, F. M., Nirmalathas, A., Skafidas, E., "All-graphene ...
  • [16] Westlund, A., Winters, M., Ivanov, I. G., Hassan, J., Nilsson, ...
  • [17] Al-Dirini, F., Hossain, F. M., Nirmalathas, A., Skafidas, E.,"Asymmetrically-gated graphene ...
  • [18] Winters, M., Thorsell, M., Strupinski, W., Rorsman, N., "High frequency ...
  • [19] Al-Dirini, F., Nirmalathas, A., Skafidas, E., "Graphene self-switching diodes with ...
  • [20] Ghaziasadi, H., Jamasb, Sh., Nayebi, P., Fouladian, M., "Rectification of ...
  • [21] Stokbro, K. et al., "Semiempirical model for nanoscale device simulations", ...
  • [22] Momma, K., Izumi, F., "VESTA 3 for three-dimensional visualization of ...
  • [23] Büttiker, M., Imry, Y., Landauer, R., Pinhas, S. "Generalized ...
  • [24] Fisher, D. S., Lee, P. A., "Relation between conductivity and ...
  • [25] Yu, Sh. –Sh., Zheng, W. –T., "Effect of ...
  • [26] Yu, Sh. Sh., Zheng, W. T., Jiang, Q, "Electronic Properties ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    علم سنجی و رتبه بندی مقاله

    مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
    نوع مرکز: دانشگاه آزاد
    تعداد مقالات: 4,103
    در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی