بررسی تاثیر تغییرات ضریب عبور کانال برروی جریان نانوماسفت

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 859

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NNTC01_648

تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389

چکیده مقاله:

برای داشتن نانوماسفت ایده ال کانال ترانزیستور به گونه ای طراحی می گردد که ضریب عبور کانال به حالت ایده ال نزدیک گردد در این مقاله ضمن بررسی جریان نانوترانزیستور در بایاس های بالا و پایین درین رابطه ی بین جریان و پارامتر ضریب عبور کانال بررسی گردیده است در ادامه به این موضوع پرداخته شد که چرا قطعات امروزی نسبتا نزدیک به حد بالیستیک عمل می کنند برای روشن شدن این مطلب پارامتر B تعریف گردیده و مشخص شد که یک قطعه که جریانی بسیار نزدیک بالیستیک دراد این گونه نیست که پراکندگی ضعیف داشته باشد بلکه کافیست که فاکتور B نزدیک به یک باشد.

نویسندگان

اشرف السادات ضیایی بافقی

بافق دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافق گروه برق

فرامرز کنجوری

تهران دانشگاه شاهد دانشکده فیزیک

علیرضا زاده بافقی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافق گروه عمران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ Conference on Nano Science & Nano Technology, YAZD, 16-18 ...
  • LundstromM ;Nanoscale Transistors: Device Physics, Modeling, and Simulation, VIII, 106 ...
  • Lundstrom M. S.; Ren Z.;IEEE Trans. Electron Devices, 49 (2002) ...
  • RahmanA.; Lundstrom M. S.IEEE Trans. Electron Devices, 49, 3 (2002) ...
  • Rahman A.; Guo, J.; Datta S.Lundstrom M. S.IEEE Trans. Electron ...
  • نمایش کامل مراجع