ترانزیستورهای MOS در مقیاس نانو : مقایسه مشخصههای الکتریکی ترانزیستورهای SOI DOUBLE GATE MOSFET و Fully Depleted MOSFET

سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 5,343

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC85_142

تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385

چکیده مقاله:

این مقاله دو ساختار همارز Fully Depleted Silicon On Insulator MOSFET (SOI MOSFET) و Double Gate MOSFET (DG MOSFET) مورد بررسی و شبیهسازی قرار گرفتهاندساختار DGMOSFET دارای Ioff کمتری نسبت به ساختار SOI میباشد . نسبت Ion/Ioff در ساختار DG بالاتر از ساختار SOI میباشد . اثر کاهش سد پتانسیل القا شده از درین (DIBL) در SOI MOSFET شدیدتر از DG MOSFET ساختاراست . DG` دارای قابلیت حرکت بالاتری نسبت به ساختار SOI میباشد

نویسندگان

مرتضی فتحی پور

گروه برق و کامپیوتر دانشگاه تهران

زهرا آهنگری

دانشکده فنی