میدان مغناطیسی یک منبع خطی تعبیه شده داخل استوانه ی دارای ضرایب نفوذپذیری مغناطیسی و گذردهی الکتریکی نزدیک صفر و روش تصویر

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 422

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_SAIRAN-10-1_003

تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1398

چکیده مقاله:

در این مقاله میدان مغناطیسی ناشی از یک منبع جریان خطی تعبیه شده داخل یک استوانه ی دارای نفوذپذیری مغناطیسی (μ)و گذردهی الکتریکی (ε) نزدیک صفر یا به طور اختصاری MENZ ، با توجه به کاربرد این ساختار در انتشار همدوسامواج الکترومغناطیسی، مورد مطالعه قرار گرفته است. ابتدا روابط تحلیلی میدان مغناطیسی برای هر دو محیط داخل و بیروناستوانه ی MENZ با استفاده از معادلات ماکسول به دست می آید. سپس اثبات می شود که میدان مغناطیسی داخل ناحیه یMENZ را می توان با استفاده از روش تصویر به دست آورد و بار دیگر رابطه ی به شکل بسته ی میدان مغناطیسی داخلاستوانه ی MENZ با استفاده از روش تصویر استخراج می شود. در پایان، این رابطه با نتایج شبیه سازی عددی مبتنی بر روشاجزا محدود مقایسه میشود تا درستی نتایج عددی محک زده شود. مشاهده می شود که نتایج تحلیلی و عددی با هم تطابقبالایی دارند.

کلیدواژه ها:

فرامواد دارای گذردهی الکتریکی نزدیک صفر ، فرامواد دارای نفوذپذیری مغناطیسی و گذردهی الکتریکی نزدیک صفر ، فرامواد دارای ضریب شکست صفر ، منبع جریان خطی ثابت ، روش تصویر

نویسندگان

مصطفی قلیزاده

کارشناسی ارشد برق مخابرات، دانشگاه تربیت مدرس

محسن غفاری میاب

استادیار دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه تربیت مدرس