بررسی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله ی کربنی تک جداره و چندجداره

از زمانی که اولین گزارشها در مورد نانو لوله های کربنی در سال 1993 ارائه شد آنها موضوعی جذاب برای تحقیقات اساسی و کاربردی بوده اند از جمله مباحثی که دراین زمینه مورد بررسی قرار گرفته مبحث ترانزیستور های اثر میدان نانولوله ی کربنی می باشد زمانی که اولین ترانزیستور اثر میدان نانولوله ی کربنی در سال 1993 گزارش شد چگونگی عملکرداین قطعه خیلی واضح نبود اما با پیشرفتهای بعدی شناخت تکنولوژی آن را با سرعت بسیاری انجام شد دراین مقاله ترانزیستورهای اثر میدان ساخته شده با استفاده از نانولوله های کربنی تک جداره و چند جداره مورد بررسی قرار میگیرند.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان ، تکجداره ، چند جداره ، نانولوله ی کربنی ، CNFET