یک سلول 9 SRAM ترانزیستوری کم مصرف باسرعت و پایداری بهبود یافته
محل انتشار: اولین همایش منطقه ای مهندسی برق
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,923
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
YAZDEEC01_024
تاریخ نمایه سازی: 7 تیر 1389
چکیده مقاله:
توان مصرفی در سلولهایSRAMشامل دو مؤلفه توان نشتی (استاتیک) و توان دینامیکی است که با توجه به حجم زیاد این سلولها در ریزپردازنده های امروزی، توان نشتی در این سلولها اهمیت زیادی دارد. پایداری داده و حاشیه نویزاستاتیک SNM در سلول SRAM ها نیز با توجه به کاهش ولتاژ تغذیه هر روز اهمیت بیشتری پیدا میکند. در کنار توان مصرفی و پایداری داده، تاخیر خواندن و نوشتن سلولهای SRAM در بهبود سرعت و کارایی ریزپردازنده ها تاثیر دارد.در این مقاله یک سلول 9 ترانزیستوری جدید پیشنهاد شده است که با استفاده از فقط یک خط بیت جهت خواندن و نوشتن داده ها و هم چنین با جداسازی مسیر خواندن از مسیر نوشتن داده توانسته است همه پارامترهای فوق را بهبود دهدشبیه سازیهای انجام شده نشان میدهد که در مقایسه با سلول 6 ترانزیستوری معمولی و سه نوع سلول 7 ، 8 و 9 ترانزیستوری که قبلاً معرفی شدهاند، میزان بهبود توان نشتی 40 الی 53 درصد، میزان بهبود توان دینامیکی 17 الی 49 درصد، و میزان بهبود سرعت نوشتن بین 48 الی 68 درصد است. تاخیر خواندن این سلول با تاخیر خواندن سلول 9 ترانزیستوری قبلی یکسان است ولی بین 33 تا 41 درصد بهتر از تاخیر خواندن سایر سلولها است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حمید کهنوجی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
محسن صانعی
دانشگاه شهید باهنر کرمان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :