سلول حافظه SRAM هفت ترانزیستوری کم توان با حاشیه ایستای نویز بهبود یافته

در این مقاله با ارایه دو طرح هفت ترانزیستوری برای سلول حافظ، علاوه بر کاهش توان نوشتن و خواندن میزان حاشیه ایستای تویز نیز در مقایسه با طرح حافظه شش ترانزیستوری متداول بهبود یافته است. همچنین با استفاده از ترانزیستورهای با ولتاژ آستانه بالا میزان توان نشتی در سلول حافظه کاهش یافته است نوبت شبیه سازی ها تحت نرم افزار Cadence و تکنولوژی فایل 180 نانومتر صورت پذیرفته است. با مقایسه نتایج شبیه سازی جهان پهلوان دینامیکی نوشتن طرح مذکور به اندازه 58/81% کاهش و میزان حاشیه ایستای نویز به اندازه 10/31% بهبود یافته است.

کلیدواژه ها:

حاشیه ایستای نویز ، حافظه SRAM ، کاهش توان نشتی ، کم توان