Characterization of Thermally Grown Cu2O Thin Films on Pure Copper Foil

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 357

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICIRES04_068

تاریخ نمایه سازی: 18 آذر 1398

چکیده مقاله:

Nowadays, metal oxide semiconductors (MOS) are utilized extensively in the fabrication of inorganic, organic, and hybrid perovskite solar cells due to their abundance and non-toxicity. Cupric oxide (CuO) and cuprous oxide (Cu2O) are the two most common forms of MOS. Cu2O and CuO are inherently p-type as a result of copper vacancy defects. Furthermore, Cu2O as a semiconductor material can demonstrate both n-type or p-type properties based on growth method and conditions. In the current work, cuprous oxide (p-Cu2O) nanoparticles have been successfully synthesized on copper foils by using thermal oxidation. The grown thin films then were characterized using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX). The results are shown the growth of Cu2O nanoparticles with diameters of about 16 nm to about 57 nm using dry oxidation. The average crystalline size of Cu2O thin films was observed is about 35nm. Also, the results from EDX show high purity in the prepared Cu2O film.

نویسندگان

Najme khezriyan

Electrical and Computer Engineering Faculty, Hakim Sabzevari University, Sabzevar, Iran Sabzevar, Iran

shahrokh Abadi

Electrical and Computer Engineering Faculty, Hakim Sabzevari University, Sabzevar, Iran Sabzevar, Iran