بررسی خواص ساختاری و حسگری لایه های نازک اکسید روی نسبت به دمای زیر لایه تهیه شده به روش APCVD

در این تحقیق لایه های نازک اکسید روی به با استفاده از روش لایه نشانی نهشت بخار شیمیایی در اتمسفر بر روی زیرلایه های شیشه ای در دماهای 450 تا 550 درجه سانتی گراد به منظور کاربرد در حسگر گاز اتانول نهشته گردیدند. دیگر شرایط لایه نشانی برای تمامی نمونه ها ثابت بوده است که عبارتند از: زمان لایه شانی که 2 دقیقه و میزان ماده که 0/1 گرم بوده است. الگوی پراش پرتو ایکس نمونه ها نشان از شدت گرفتن جهت گیری 100 با افزایش دمای زیر لایه دارد. بررسی تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی نشان می دهد که افزایش دمای زیر لایه ابتدا سبب بزرگ شدن دانه ها می شوند و این افزایش از دمای زیر لایه 525 درجه ی سانتی گراد متوقف شده و دانه ها شروع به کوچک شدن می کنند. همچنین میزان حساسیت نمونه ها به ازای ppm 2500 از گاز اتانول در دماهای 125 تا 410 درجه سانتی گراد مورد برسی قرار گرفت و بیشترین میزان حساسیت متعلق با نمونه ی تهیه شده در دمای لایه نشانی 450 درجه ی سانتی گراد با دمای کار 345 درجه سانتی گراد است.

کلیدواژه ها:

روی اکسید ، لایه نازک ، نهشت بخار شیمیای ، حسگر گازی ، دمای کار ، اتانول