تاثیر گیت دوم بر عملکرد فرکانس بالای ترانزیستور با تحرک الکترونی بالاAlGaN/GaN

ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا HEMT افزاره های الکترونیکی مهمی برای ساختارهای سرعت بالا به شمار میروند. در این مقاله، به بررسی مشخصه های الکتریکی ساختار AlGaN/GaN HEMT پرداخته شده و میزان تاثیر گیت دوم بر اثرات کانال کوتاه و عملکرد فرکانس بالای افزاره مورد تحلیل و بررسی قرار گرفته است. تمامی شبیه سازی ها توسط نرم افزار دو بعدی سیلواکو انجام گرفته است. مقدار ولتاژ آستانه، جریان حالت روشن، حالت خاموش و شیب زیر آستانه بررسی شد. مشخص گردید با افزایش تعداد گیت اثرات کانال کوتاه به دلیل افزایش کنترل گیت بر کانال بهطور قابل ملاحظه ای کاهش مییابد. همچنین پارامترهای فرکانس بالا شامل ترارسانایی، خازن گیت و فرکانس قطع بالا محاسبه شد. نتایج بدست آمده نشان میدهد فرکانس قطع بالا در افزاره دو گیتی DG بیشتر از فرکانس قطع بالا در افزاره یک گیتی SG است. از اینرو ساختار دو گیتی برای کاربردهای فرکانس بالا افزاره مناسبتری میباشد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا اثرات کانال کوتاه ، خازن گیت ، ترا رسانایی ، فرکانس قطع بالا