تحلیل و شبیه سازی ساختار سه گیتی جدید در ترانزیستورهای SOI MESFET جهت بهبود مشخصات DC
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 558
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DMECONF04_015
تاریخ نمایه سازی: 8 تیر 1398
چکیده مقاله:
در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی فلز روی نیمه هادی سیلسیم روی عایق جدید با یک گیت اصلی و دوگیت جانبی معرفی میشود. ساختار ارائه شده شبیه ساختار متداول است با این تفاوت که دارای دو گیت جانبیاست. ساختار جدید نسبت به ساختار متداول در جریان راه انداز، ولتاژ شکست و همچنین اثرات گرمایی برتریدارد و نتایج شبیه سازی نشان می دهد که گیت های جانبی تاثیر مثبت و زیادی در بهبود مشخصات DC دارد.ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست و جریان راه انداز را به ترتیب 37 % و 400 % بهبود میدهد و همچنین حداکثرتوان خروجی ترانزیستور از 0.014W/mm به 0.09W/mm میرسد که در حدود 6.5 برابر بهبود داشته است.
کلیدواژه ها:
ترانزیستورهای اثر میدانی فلز نیمه هادی سیلیسیم روی عایق ، ولتاژ شکست ، جریان راهانداز ، توان بالا ، مشخصات فرکانسی