بررسی اثر همشنوایی از طریق بستر در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه

ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (SOI) برای استفاده در کاربردهای RF و چند سیگناله ویژگی های مناسبی از خود نشان می دهند. ترانزیستور موردنظر در این مقاله نیز از نوع سیلیکون روی الماس (SOD) بوده ودارای یک لایه عایق اضافی اکسید سیلیکون می باشد، این لایه برای بهبود اثرات کانال کوتاه استفاده شده است. در این مقاله مدل سیگنال کوچک این نوع از افزاره بدست آمده است. المان های مدار معادل سیگنال کوچک این افزاره به طور کامل اندازه گیری و محاسبه شده اند. با استفاده از مدل سیگنال کوچک بدست آمده، مشخصه همشنوایی برای این ترانزیستور با استفاده از شبیه سازی بدست آمده است.

کلیدواژه ها:

، UTBB ، سیلیکون روی الماس ، همشنوایی ، مدل سیگنال کوچک ، سیستم روی چیپ ، Crosstalk