طراحی شده برای کاربردهای با توان پایین SRAM 10T بررسی و مقایسه انواع حافظه های و ارائه طرح پیشنهادی

با توجه به اینکه سلول های حافظه SRAM، یک خش مهم در مدارات مجتمع امروزی می باشند و در تجهیزات قابل حمل کاربرد زیادی دارند و از طرفی با پیشرفت تکنولوژی، شاهد افزایش نمایی جریان نشتی و درنتیجه مصرف بالای توان استاتیک و دینامیک می باشیم، در این مقاله سعی شده است تا با بیان تکنیک های کاهش توان و همچنین مقایسه و ارائه سلول 10 ترانزیستوری بهبود یافته، توان نشتی را کاهش داده و سبب افزایش سرعت خواندن و نوشتن شویم این سلول در طول عملیات خواندن، گره های ذخیره داده از خطوط کلمه Word Line ایزوله شده است.در این مقاله با استفاده از تکنیک Stack-Forced توان نشتی را به میزان قابل توجهی کاهش داده است. همچنین با جدا کردن مسیر خواندن داده از نوشتن داده، سرعت خواندن افزایش یافته است. درنتیجه نسبت به 3 سلول 10 ترانزیستوری دیگر، توان نشتی بین 65% تا 22 % کاهش یافته است. همچنین سرعت نوشتن بین 41 % تا 79 % افزایش و توان دینامیک و تاخیر خواندن نیز به مقدار قابل توجهی کاهش یافته است.

کلیدواژه ها:

توان نشتی ، سرعت نوشتن ، سرعت خواندن WordLine ، Stack-Force ، SRAM