تنظیم الکتریکی مدهای نقص لایه ای در بلور فوتونی دوبعدی

در این مقاله با استفاده از روش ابر سلول، تنظیم پذیری الکتریکی مدهای نقص لایه ای در یک بلور فوتونی دو بعدی که در آن حفره های هوا در زمینه سلیکون قرار دارند بررسی شده است. لایه نقص ایجاد شده در بلور فوتونی، بصورت لایه ای از جنس بلور مایع نماتیک فرض می شود که مابین دو بلوک از بلور فوتونی دو بعدی با تقارن شبکه مربعی مربعی ساندویچ شده است. به دلیل نقش تعیین کننده توزیع سمت گیری دایرکتورهای بلور مایع در تعیین موقعیت مدهای نقص در داخل نوار ممنوعه فرکانسی، این توزیع با کمینه کردن انرژی آزاد گیبس که به معادلات اویلر-لاگرانژ تبدیل میشود، بدست آمده است. معادلات اخیر با استفاده از روش تفاضل محدود محاسبه شده است. نتایج عددی نشان می دهد که موقعیت مدهای نقص در داخل نوار ممنوعه فرکانسی، از طریق اعمال ولتاژ خارجی بر لایه بلور مایع ، بطور قابل ملاحظه ای قابل کنترل است.