تنظیم الکتریکی مدهای نقص لایه ای در بلور فوتونی دوبعدی
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,010
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_342
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله با استفاده از روش ابر سلول، تنظیم پذیری الکتریکی مدهای نقص لایه ای در یک بلور فوتونی دو بعدی که در آن حفره های هوا در زمینه سلیکون قرار دارند بررسی شده است. لایه نقص ایجاد شده در بلور فوتونی، بصورت لایه ای از جنس بلور مایع نماتیک فرض می شود که مابین دو بلوک از بلور فوتونی دو بعدی با تقارن شبکه مربعی مربعی ساندویچ شده است. به دلیل نقش تعیین کننده توزیع سمت گیری دایرکتورهای بلور مایع در تعیین موقعیت مدهای نقص در داخل نوار ممنوعه فرکانسی، این توزیع با کمینه کردن انرژی آزاد گیبس که به معادلات اویلر-لاگرانژ تبدیل میشود، بدست آمده است. معادلات اخیر با استفاده از روش تفاضل محدود محاسبه شده است. نتایج عددی نشان می دهد که موقعیت مدهای نقص در داخل نوار ممنوعه فرکانسی، از طریق اعمال ولتاژ خارجی بر لایه بلور مایع ، بطور قابل ملاحظه ای قابل کنترل است.
نویسندگان
سید عماد رضائی توچاهی
دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز
علی سلطانی والا
دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی، د
منوچهر کلافی
دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی، د