محاسبه پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه ی سوم نقطه کوانتومی به شکل هرم ناقص InAs/GaAs با اندازه های مختلف

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,591

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC88_208

تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388

چکیده مقاله:

در این مقاله پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه ی سوم در نقط هی کوانتومی هرم ناقص InAs/GaAs محاسبه می شود. مدل ما برای بررسی خواص نوری و ساختار الکترونیکی بر پایه ی تقریب جرم موثر و به روش بسط موج تخت است. نتایج بدست آمده نشان میدهد که با افزایش حجم نقطه کوانتومی ، پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه ی سوم افزایش یافته و قله مربوطه به سمت انرژی های پایین تر جابجا میشود.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • کاویانی. ه، کلافی. م، عسگری. ا، "ساختار الکترونیکی نقاط کوانتومی ... [مقاله کنفرانسی]
  • کاویانی. 0ه‌کلافی. م، عسگری. ا، "محاسبه‌ی ضریب جذب نوری وقدرت ...
  • Stoleru. v. G, Towe E , 2003, ; Oscillator strength ...
  • Rostami. A _ Rasooli Saghai. H, Baghban Asghari Nejad. H ...
  • Saghai. H. R, Asgari. A, Baghban A. N. H, Rostami. ...
  • A. Rostami, H. Rasooli Saghai, N. Sadoogi1 , H. Baghban ...
  • Boucaud. P, Sauvage. S, 2003, "Infrared photodetection with semiconductor self-assembled ...
  • Ngo. C. Y, Yoon. S. F, Fan. W. J, Chua. ...
  • نمایش کامل مراجع