ماکسیمم و مینیمم مدارهای CMOS WTA با کاربردهایشان در سوییچ آنالوگ و یسکوسازها

این مقاله طرحی از یک حالت ولتاژ ماکسیمم و مینیمم مدارهای WTA با چندین ورودی می باشد. مدارهای پیشنهادی درتکنولوژی CMOS با شمار پایینی از مولفه های ترانزیستور شناخته می شوند. آنها کاربردپذیری بلوک ساختمانی ارایه شده نشان می دهند در حالیکه ماکسیمم پهنای باند دنبالگر ولتاژ حدود 1GHZ و زمان تاخیر اندک حدود 1.5ns با آمپدانس ورودی بالا و خروجی کم می باشد. THD کسب شده حدود 0/8% در دامنه ورودی (0/6V(p-p می باشد. اتلاف قدرت مدارهای پیشنهادی پیرامون 0/62mW در حدود 1/25V± منابع انرژی می باشد. در کاربرد یکسوسازهای نیم موج و تمام موج و سویچی آنالوگ گنجانده می شوند. شبیه سازی کامپیوتر حاصل از بکارگیری برنامه SPICE با TSMC0/25μm انجام میپذیرد تا عملکرد اجرایی ماکسیمم و مینیمم مدارهای WTA پیشنهادی، یکسوسازها و سوییچ آنالوگ را نشان دهد. بعلاوه نمونه طرح اولیه از مدار ماکسیمم یک مساحتی حدود (798μm(2 را اشغال می کند و نتایج شبیه سازی طرح اولیه بعدی نمایش داده میشوند تا نتایج شبیه سازی پیش طرح را قطعی کند.

کلیدواژه ها:

، WTA ، حداکثر ساز ، حداقل ساز ، رکتیفایر ، سویچ آنالوگ