ساخت لایه نازک نیکل برروی زیرلایه سیلسیم به روش لایه نشانی الکتروشیمیایی برای کاربرد در نانو ادوات اتصال فلز - نیمه رسانا
محل انتشار: دومین همایش ملی نانو مواد ونانوتکنولوژی
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,211
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NAYRC02_067
تاریخ نمایه سازی: 10 دی 1388
چکیده مقاله:
تشکیل لایه های بسیار نازک مانند بسیاری از دگرگونی فازی مستلزم فرایندهای جوانه زنی و رشد برروی زیرلایه می باشد دراین راستا برای بدست آوردن شرایط بهینه باید مکانیزم جوانه زنی و رشد نیکل برروی زیرلایه Si n+111 بررسی شود که این کار با استفاده از حمام وات و تکنیک الکتروشیمیایی کرونوآمپرمتری مورد مطالعه قرار گرفته است با استفاده از این تکنیک و رسم منحنی های بدون بعد مجذور نسبت جریان نشست به جریان پیک براساس تئوری شریفکر - هیلز ، نحوه جوانه زنی به صورت آنی به اثبات رسید. همچنین نحوه تغییرات مقدار جریان نشست نسبت به t1/2 خطی و نسبت به t3/2 غیرخطی است که تایید کننده مکانیزم جوانه زنی و رشد نیکل به صورت آنی می باشد با استفاده از تصاویر SEM مشخص شد که اندازه جوانه های نیکل کمتر از 100nm است. هدف از انجام این کار ساخت نانو ادوات دولایه نیمه رسانا / فرومغناطیسی است.
کلیدواژه ها:
نیکل - لایه نشانی الکتروشیمیایی - جوانه زنی و رشد - Si n+111 تئوری شریفکر ، هیلز
نویسندگان
سیدمهدی جان جان
دانشجوی کارشناسی ارشد تبریز شهر جدید سهند پردیس دانشگاه صنعتی سهند دا
فرزاد نصیرپوری
استادیار تبریز شهر جدید سهند پردیس دانشگاه صنعتی سهند دانشکده مواد
غلامرضا نبیونی
دانشیار اراک دانشگاه اراک دانشکده فیزیک گروه فیزیک
میرقاسم حسینی
دانشیار دانشگاه تبریز دانشکده شیمی گروه شیمی فیزیک
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :